[發明專利]半極性氮化鎵單量子阱層發光器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201811472354.0 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN109390443A | 公開（公告）日： | 2019-02-26 |
| 發明（設計）人： | 陳辰;宋杰;崔周源 | 申請（專利權）人： | 西安賽富樂斯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金訊知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黃劍飛 |
| 地址： | 710003 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單量子阱 發光器件 半極性 氮化鎵 激活層 逐漸增大 制造 | ||
1.一種半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其包括：
N型氮化鎵層；
P型氮化鎵層；以及
單量子阱激活層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，所述單量子阱材料為InxGayN1-x-y，其中沿著從N型氮化鎵層到P型氮化鎵層的厚度方向，所述單量子阱激活層單量子阱材料為InxGayN1-x-y中的x逐漸增大。
2.根據權利要求1所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述x值沿著從N型氮化鎵層到P型氮化鎵層的厚度方向逐漸從0.1增大到0.2之間。
3.根據權利要求1或2所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述單量子阱的厚度為
4.根據權利要求1所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，還包括：
第一靜電保護層，位于N型氮化鎵層與激活層之間；以及
第二靜電保護層，位于激活層與P型氮化鎵層之間。
5.根據權利要求4所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層為無摻雜的GaN層或InGaN層。
6.根據權利要求4所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層為低摻雜濃度的GaN層或InGaN層。
7.根據權利要求5或6所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層厚度為
8.根據權利要求1所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述半極性面為(20
9.一種形成半極性氮化鎵單量子阱層發光器件的方法，包括：
在反應腔內在無摻雜的氮化鎵緩沖層上形成N型氮化鎵層；
通過以勻速增加的流向反應腔內的In源的流速，以每秒鐘的沉積速度在N型氮化鎵層上形成InxGayN1-x-y式的半導體材料的單量子阱激活層，使得所述單量子阱激活層的單量子阱材料InxGayN1-x-y中的x隨著厚度的增加而逐漸從0.1增加到0.2，并且所訴單量子阱層的厚度為以及
在所述單量子阱激活層上形成P型氮化鎵層。
10.根據權利要求9所述的形成半極性氮化鎵單量子阱層發光器件的方法，其中所述單量子阱的厚度為
11.根據權利要求9所述的形成半極性氮化鎵單量子阱層發光器件的方法，還包括：
在N型氮化鎵層和單量子阱激活層之間形成第一靜電保護層；以及
在P型氮化鎵層和單量子阱激活層之間形成第二靜電保護層。
12.根據權利要求11所述形成半極性氮化鎵單量子阱層發光器件的方法，其中，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層為無摻雜的GaN層或InGaN層。
13.根據權利要求11所述的半極性氮化鎵單量子阱層發光器件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層為低摻雜濃度的GaN層或InGaN層。
14.根據權利要求11所述形成半極性氮化鎵單量子阱層發光器件的方法，其中，所述第一靜電保護層和第二靜電保護層厚度為
15.根據權利要求9所述形成半極性氮化鎵單量子阱層發光器件的方法，其中，所述半極性面為(20
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安賽富樂斯半導體科技有限公司，未經西安賽富樂斯半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811472354.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
