[發明專利]一種處理半導體晶圓的方法

有效

• 申請號: 201811471840.0
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN109585483B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 荊泉;李宇杰
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/66
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種處理半導體晶圓的方法，包括：

步驟一：設定執行預定的半導體工藝的工藝參數；

步驟二：以所設的工藝參數對半導體晶圓執行所述半導體工藝；

步驟三：計算采用所設的工藝參數執行所述半導體工藝對所述半導體晶圓積累的熱通量值；以及

步驟四：判斷所述熱通量值是否在預定的熱通量閾值范圍內，以判斷所設的工藝參數是否合規；其中

所述半導體工藝包括多個工藝步驟，

所述步驟三包括計算每個工藝步驟對所述半導體晶圓積累的熱通量值；

所述步驟四包括判斷每個工藝步驟的熱通量值是否在預定的對應步驟的熱通量閾值范圍內，且判斷多個工藝步驟的熱通量值之和是否在預定的熱通量閾值范圍內，以判斷所設的工藝參數是否合規。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟四中，若任一工藝步驟的熱通量值不符合預定的對應步驟的熱通量閾值范圍，或多個工藝步驟的熱通量值之和不符合預定的熱通量閾值范圍，則所設的工藝參數不合規。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

響應于在步驟四中，所設的工藝參數不合規，調整步驟一中設定的工藝參數，重復步驟二至步驟四，直至在步驟四中，判斷出合規的工藝參數；以及

采用所述合規的工藝參數對若干半導體晶圓執行所述半導體工藝。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟一包括設定分別用于在第一機臺和第二機臺執行所述半導體工藝的工藝參數；

所述步驟二包括分別在所述第一機臺和所述第二機臺以所設的相應工藝參數對相應的半導體晶圓執行所述半導體工藝；

所述步驟三包括分別計算所述第一機臺上和所述第二機臺上的相應半導體晶圓所積累的熱通量值；

所述步驟四包括分別判斷所述第一機臺上和所述第二機臺上的相應半導體晶圓所積累的熱通量值是否合規，所述方法還包括：

響應于在所述第一機臺和所述第二機臺所設的相應的工藝參數皆合規，進一步判斷所述第一機臺上和所述第二機臺上的相應半導體晶圓所積累的熱通量值的差異是否小于預定差值閾值，以判斷所述第一機臺和所述第二機臺的所述半導體工藝是否匹配。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟三包括分別計算每個工藝步驟對所述第一機臺上和所述第二機臺上的相應半導體晶圓積累的熱通量值；

所述步驟四包括分別判斷每個工藝步驟在所述第一機臺上和所述第二機臺上的熱通量值是否在預定的對應步驟的熱通量閾值范圍內，且判斷在所述第一機臺上和所述第二機臺上的多個工藝步驟的熱通量值之和是否在預定的熱通量閾值范圍內，以判斷所設的工藝參數是否合規；

響應于在所述第一機臺和所述第二機臺所設的相應的工藝參數皆合規，所述方法還包括：

進一步判斷每個工藝步驟在所述第一機臺上和所述第二機臺上的相應半導體晶圓所積累的熱通量值的差值是否小于預定的對應步驟的差值閾值，且判斷在所述第一機臺上和所述第二機臺上的多個工藝步驟的熱通量值之和的差值是否小于預定差值閾值，以判斷所述第一機臺和所述第二機臺的所述半導體工藝是否匹配。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述判斷所設的工藝參數是否合規進一步包括：若任一工藝步驟的熱通量值不符合預定的對應步驟的熱通量閾值范圍，或多個工藝步驟的熱通量值之和不符合預定的熱通量閾值范圍，則所設的工藝參數不合規；和/或

所述判斷所述第一機臺和所述第二機臺的所述半導體工藝是否匹配進一步包括：若任一工藝步驟在所述第一機臺上和所述第二機臺上的熱通量值的差值不符合預定的對應步驟的差值閾值，或在所述第一機臺上和所述第二機臺上的多個工藝步驟的熱通量值之和的差值不符合預定差值閾值，則所述第一機臺和所述第二機臺的所述半導體工藝不匹配。