[發明專利]一種超輕高殘余高平滑離型膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201811469963.0 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN111218236A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 李剛 | 申請（專利權）人： | 揚州萬潤光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C09J7/40 | 分類號： | C09J7/40;C09J183/04;C09J183/07;C09J183/05;C09J11/06 |
| 代理公司： | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黃冠華 |
| 地址： | 211400 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超輕高 殘余 平滑 離型膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種超輕高殘余高平滑離型膜，其特征在于：包括薄膜基材和離型層，所述薄膜基材為為PET膜、PBT膜、PENT膜或PBNT膜的一種，離型層包括如下各組分及份數：
2.根據權利要求1所述的超輕高殘余高平滑離型膜，其特征在于：所述乙烯基端基有機硅樹酯為粘度500-5000mpas、乙烯基摩爾百分比為0.2-1.0％。
3.根據權利要求1所述的超輕高殘余高平滑離型膜，其特征在于：所述交聯劑為二異氰酸酯與皂莢提取物以20:1的比例混合得到。
4.根據權利要求1所述的超輕高殘余高平滑離型膜，其特征在于：所述含氫硅油為粘度為200-500mpas、含氫摩爾比百分比為0.2-1.4％。
5.根據權利要求1所述的超輕高殘余高平滑離型膜，其特征在于：所述引發劑為氧化十二酰、過氧化苯甲酰或過氧化二異丙苯中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的超輕高殘余高平滑離型膜，其特征在于：所述薄膜基材為25μm-100μm厚度的PET膜。
7.一種權利要求1-6所述的超輕高殘余高平滑離型膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1)薄膜基材的準備：對薄膜基材表面進行凈化和電暈或等離子處理；
步驟2)皂莢提取物的制備：將皂莢子清洗干凈，進行干燥、粉碎、然后過40-60目，加水，使用微波萃取，濃縮，干燥，得皂莢提取物；
步驟3)將皂莢提取物和二異氰酸酯以20:1的比例混合均勻，制得交聯劑；
步驟4)離型劑的準備：按離型劑的配方稱量好各組分的重量，將有機硅預聚體、乙烯基端基有機硅樹酯、引發劑、鉑金催化劑和交聯劑加入反應器中，在轉速為400rpm/60min下先攪拌混合均勻，再加入含氫硅油，在800rpm/60min下攪拌混合均勻；
步驟5)在經過處理過的薄膜基材上涂布離型劑并烘干，離型劑的濕涂布量為3g/m2-15g/m2，烘干溫度為80-150℃；
步驟6)對烘干的離型膜進行收卷包裝。
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