[發明專利]電阻式隨機存取存儲器件

有效

• 申請號: 201811469807.4
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN110021704B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 莫竣杰;郭仕奇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種存儲器單元，包括：

第一電極接觸件，形成為沿第一方向延伸的圓柱形狀；

電阻材料層，包括沿所述第一方向延伸且圍繞所述第一電極接觸件的第一部分；

第二電極接觸件，其中，當自上而下觀察時，所述第二電極接觸件圍繞所述第一電極接觸件和所述電阻材料層的第一部分，

第一電極層，包括連接在所述第一電極接觸件和所述電阻材料層的第一部分之間的至少部分；

第二電極層，包括連接在所述電阻材料層的第一部分和所述第二電極接觸件之間的至少部分；以及

晶體管，所述第一電極接觸件和所述第二電極接觸件中的每一個連接到所述晶體管的漏極部分或源極部分。

2.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中，所述電阻材料層呈現可變電阻值。

3.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中，所述電阻材料層還包括沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第二部分。

4.根據權利要求3所述的存儲器單元，其中，所述電阻材料層的第二部分圍繞所述第一電極接觸件。

5.根據權利要求4所述的存儲器單元，其中，所述第二電極接觸件沿著所述第二方向延伸并且連接至所述電阻材料層的第一部分和所述電阻材料層的第二部分兩者。

6.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中，所述第一電極層的厚度為20至50nm。

7.根據權利要求6所述的存儲器單元，其中，所述第一電極層的所述至少部分和所述第二電極層的所述至少部分均沿所述第一方向延伸。

8.根據權利要求1所述的存儲器單元，所述電阻材料層的厚度為2～10nm。

9.一種存儲器單元，包括：

第一電極接觸件，形成為沿第一方向延伸的圓柱形狀；

電阻材料層，圍繞所述第一電極接觸件，其中，所述電阻材料層包括沿所述第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；以及

第二電極接觸件，圍繞所述電阻材料層，其中，所述第二電極接觸件連接至所述電阻材料層的第一部分和所述電阻材料層的第二部分兩者，

第一電極層，包括連接在所述第一電極接觸件和所述電阻材料層的第一部分之間的垂直部分，以及連接在所述電阻材料層的第二部分和襯底之間的水平部分；

第二電極層，包括連接在所述電阻材料層的第一部分和所述第二電極接觸件之間的垂直部分，以及連接在所述電阻材料層的第二部分和所述第二電極接觸件之間的水平部分；以及

晶體管，其中，所述第二電極接觸件連接至所述晶體管的漏極部件或源極部件。

10.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

11.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中，所述電阻材料層呈現可變電阻值。

12.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中，所述第二電極接觸件沿所述第二方向延伸。

13.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中，所述電阻材料層包括過渡金屬氧化物。

14.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中，所述電阻材料層包括ZrO₂。