[發(fā)明專(zhuān)利]一種多晶硅棒破碎的裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811469114.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111229421A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李力;劉逸楓;付緒光;沈峰;阮繼政;郭磊;田野;徐浩;陳其國(guó) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B02C19/18 | 分類(lèi)號(hào): | B02C19/18;B02C23/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 221004 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多晶 破碎 裝置 方法 | ||
1.本發(fā)明涉及一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征包括采用電阻加熱爐裝置將多晶硅棒進(jìn)行預(yù)熱,預(yù)熱后用電磁線圈采用電磁感應(yīng)方法將多晶硅棒進(jìn)一步加熱,將加熱后的多晶硅棒進(jìn)行用液氮或者高純水進(jìn)行快速冷卻,以使多晶硅棒內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力,從而破碎多晶硅棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,所述采用的加熱多晶硅棒的裝置是電磁加熱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,所述多晶硅棒在電磁加熱硅棒前,用電阻加熱爐進(jìn)行預(yù)熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,電磁加熱多晶硅的溫度為350-850℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,用電磁加熱硅棒加熱前,用電阻加熱爐將硅棒預(yù)熱至150-350℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,加熱后的硅棒用液氮或者高純水進(jìn)行快速冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,電磁加熱線圈由2-10個(gè)線圈組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一多晶硅棒破碎的裝置和方法,其特征在于,用電磁線圈之間有由石英或氮化硅、碳化硅、三氧化二鋁制備的支撐裝置支撐。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一多晶硅棒破碎的裝置和系統(tǒng),其特征在于,采用電磁線圈加熱至所需溫度后,保持恒溫15-60分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一多晶硅棒破碎的裝置和系統(tǒng),其特征在于,多晶硅棒加熱速率控制在50℃/小時(shí)-200℃/小時(shí)。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一多晶硅棒破碎的裝置和系統(tǒng),其特征在于,多晶硅棒預(yù)熱速率控制在50℃/小時(shí)-200℃/小時(shí)。
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