[發明專利]一種紫外LED外延結構及其生長方法在審
| 申請號： | 201811468293.0 | 申請日： | 2018-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN109585622A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 何苗;叢海云;黃仕華;熊德平 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 510060 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多量子阱結構層 背離 電子阻擋層 外延結構 組分變化 紫外LED 緩沖層 未摻雜 襯底 申請 內量子效率 極化電場 量子限制 生長 阻擋層 隧穿 | ||
1.一種紫外LED外延結構，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底第一側的緩沖層；
位于所述緩沖層背離所述襯底一側的未摻雜的GaN層；
位于所述未摻雜的GaN層背離所述緩沖層一側的N型GaN層；
位于所述N型GaN層背離所述未摻雜的GaN層一側的多量子阱結構層；
位于所述多量子阱結構層背離所述N型GaN層一側的Al組分變化的電子阻擋層；
位于所述Al組分變化的電子阻擋層背離所述多量子阱結構層一側的P型GaN層。
2.如權利要求1所述的紫外LED外延結構，其特征在于，所述Al組分變化的電子阻擋層包括：
位于所述多量子阱結構層背離所述N型GaN層一側的Al0.1Ga0.9N層；
位于所述Al0.1Ga0.9N層上表面的Al0.15Ga0.85N層；
位于所述Al0.15Ga0.85N層上表面的Al0.2Ga0.8N層；
位于所述Al0.2Ga0.8N層上表面的Al0.25Ga0.75N層。
3.如權利要求1所述的紫外LED外延結構，其特征在于，所述未摻雜的GaN層長溫度為1030℃-1050℃，厚度為2.5μm。
4.如權利要求1所述的紫外LED外延結構，其特征在于，所述緩沖層生長溫度為510℃-530℃，厚度為25nm，并在1030℃-1050℃下恒溫預設時間以使所述緩沖層重結晶。
5.如權利要求1所述的紫外LED外延結構，其特征在于，所述多量子阱結構層包括依次層疊六個周期的AlxGa1-xN層和GaN層。
6.如權利要求1所述的紫外LED外延結構，其特征在于，所述N型GaN層的厚度為3μm，生長溫度為1030℃-1050℃，Si摻雜濃度為5×1018cm-3。
7.如權利要求1至6任一項所述的紫外LED外延結構，其特征在于，所述P型GaN層的厚度為100nm，生長溫度為970℃-990℃，Mg摻雜濃度為5×1017cm-3。
8.一種紫外LED外延結構制作方法，其特征在于，包括：
在襯底上表面制備緩沖層；
在所述緩沖層背離所述襯底一側形成未摻雜的GaN層；
在所述未摻雜的GaN層背離所述緩沖層一側形成N型GaN層；
在所述N型GaN層背離所述未摻雜的GaN層一側形成多量子阱結構層；
在所述多量子阱結構層背離所述N型GaN層一側形成Al組分變化的電子阻擋層；
在所述Al組分變化的電子阻擋層背離所述多量子阱結構層一側形成P型GaN層。
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