[發明專利]用于對半導體晶片集成分解和掃描的系統

有效

• 申請號: 201811466998.9
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN110013922B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: T·約斯特;D·R·維德林;B·馬特;J·卡澤爾;J·海因;J·S·李;J·M·金;S·H·蘇蒂卡
• 申請（專利權）人: 基礎科學公司
• 主分類號: B05B1/02
• 分類號: B05B1/02;B05B9/04;B05B12/36;H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李隆濤

1.一種用于對半導體晶片的表面進行掃描的噴嘴系統，包括：

噴嘴，所述噴嘴具有

噴嘴本體，所述噴嘴本體限定與第一噴嘴端口流體連通的入口端口，并且限定與出口端口流體連通的第二噴嘴端口，所述噴嘴本體被配置成通過所述入口端口接收流體以及引導所述流體通過所述第一噴嘴端口以將所述流體引至半導體晶片的表面，所述噴嘴本體被配置成經由所述第二噴嘴端口從所述半導體晶片的表面移除所述流體并且將所述流體從所述第二噴嘴端口引導通過所述出口端口，以及

噴嘴罩，所述噴嘴罩從所述噴嘴本體與所述第一噴嘴端口和所述第二噴嘴端口相鄰地延伸，并限定在所述第一噴嘴端口和所述第二噴嘴端口之間設置的通道，所述噴嘴罩被配置成沿著所述半導體晶片的表面將所述流體從所述第一噴嘴端口引導至所述第二噴嘴端口；以及

噴嘴殼體，所述噴嘴殼體具有

殼體本體，所述殼體本體限定內部部分以及孔，所述噴嘴的至少一部分能在伸展位置和縮回位置之間轉換時穿過所述孔。

2.根據權利要求1所述的噴嘴系統，其特征在于，所述噴嘴殼體還包括至少部分地定位在所述內部部分以內的傳感器，所述傳感器被配置成測量存在或不存在流體通過與所述入口端口或所述出口端口耦接的流體管線。

3.根據權利要求1所述的噴嘴系統，其特征在于，所述噴嘴經由聯接器可移動地耦接至所述噴嘴殼體。

4.根據權利要求3所述的噴嘴系統，其特征在于，所述聯接器限定孔，并且其中所述噴嘴殼體包括延伸穿過所述孔的突起。

5.根據權利要求4所述的噴嘴系統，其特征在于，當所述噴嘴處于所述伸展位置時，所述孔的頂部擱置在所述突起的一部分上。

6.根據權利要求4所述的噴嘴系統，其特征在于，所述噴嘴殼體還包括鎖定結構，所述鎖定結構被配置成與所述聯接器相互作用以將所述噴嘴保持在所述縮回位置。

7.根據權利要求6所述的噴嘴系統，其特征在于，所述鎖定結構包括電磁體。

8.根據權利要求6所述的噴嘴系統，其特征在于，當所述噴嘴處于所述縮回位置時，所述突起不支承所述孔。

9.根據權利要求1所述的噴嘴系統，其特征在于，所述通道為細長通道，所述細長通道具有由所述噴嘴罩限定的相反的圓頭端部。

10.根據權利要求9所述的噴嘴系統，其特征在于，所述第一噴嘴端口定位成與所述細長通道的第一圓頭邊緣的邊緣相切，并且其中所述第二噴嘴端口定位在所述細長通道的遠離于所述第一噴嘴端口的第二圓頭邊緣的中心處。

11.根據權利要求1所述的噴嘴系統，其特征在于，所述通道具有近似于所述半導體晶片的半徑的長度。

12.一種用于對半導體晶片的表面進行掃描的噴嘴，包括：

噴嘴本體，所述噴嘴本體限定與第一噴嘴端口流體連通的入口端口，并且限定與出口端口流體連通的第二噴嘴端口，所述噴嘴本體被配置成通過所述入口端口接收流體以及引導所述流體通過所述第一噴嘴端口以將所述流體引至半導體晶片的表面，所述噴嘴本體被配置成經由所述第二噴嘴端口從所述半導體晶片的表面移除所述流體并且將所述流體從所述第二噴嘴端口引導通過所述出口端口；以及

噴嘴罩，所述噴嘴罩從所述噴嘴本體與所述第一噴嘴端口和所述第二噴嘴端口相鄰地延伸，并限定至少部分地在所述第一噴嘴端口和所述第二噴嘴端口之間設置的通道，所述噴嘴罩被配置成沿著所述半導體晶片的表面將所述流體從所述第一噴嘴端口引導至所述第二噴嘴端口。

13.根據權利要求12所述的噴嘴，其特征在于，所述噴嘴本體包括相對的側壁，所述相對的側壁中的每個側壁包括與豎直側壁耦接的縮窄部分。