[發明專利]一種構件多次刻型、化銑制造方法有效
| 申請號: | 201811465672.4 | 申請日: | 2018-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN109652802B | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 李明;梅雪松;譚羽 | 申請(專利權)人: | 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安交通大學 |
| 主分類號: | C23F1/04 | 分類號: | C23F1/04;B23P15/00;B23K26/36;B23K26/362 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人: | 史曉麗 |
| 地址: | 710119 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 構件 多次 制造 方法 | ||
1.一種構件多次刻型、化銑制造方法,包括步驟:
1)對構件進行一次刻型;
2)對構件進行一次化銑;
3)將一次化銑后的構件從化銑溶液取出,去除構件表面殘留的膠層;
4)將構件重新裝夾到刻型設備工作臺上;
其特征在于,還包括步驟:
5)采集構件外部形貌的三維信息,根據三維信息逆向重建構件當前的三維模型,評估重建得到的三維模型與上一次刻型的預期構件階段模型的誤差,若誤差超出允許范圍,則上一次刻型、化銑失敗,當前構件作報廢處理,取新的構件重新進行步驟1)-5);若誤差在允許范圍內,則進入步驟6);
6)基于步驟5)得到的三維模型、產品要求的化銑侵蝕比參數進行編程,得到下一次刻型加工程序;
7)依據步驟6)編制的刻型加工程序對構件進行刻型;
8)對構件進行化銑;
上述步驟中,每次刻型的加工參數:CO2激光器功率為30W,頻率為1000Hz;
上述步驟1)具體為:
1.1)對構件表面進行噴砂處理,清理構件表面的銹蝕、附著物;
1.2)向構件表面噴膠;
1.3)將構件裝夾在刻型設備工作臺上,并記錄構件在機床坐標系內的位置;
1.4)按照不同方向的化銑侵蝕比,對構件理論模型上的表面圖案進行縮放,確定最終加工模型;
1.5)根據所述最終加工模型進行編程,得到第一次刻型加工程序;
1.6)將所述第一次刻型加工程序導入刻型設備的數控系統,數控系統控制六軸五聯動激光加工設備在構件表面進行一次刻型。
2.根據權利要求1所述的構件多次刻型、化銑制造方法,其特征在于,還包括步驟9):重復步驟3)-8),對構件進行多次刻型、化銑。
3.根據權利要求1或2所述的構件多次刻型、化銑制造方法,其特征在于:步驟5)重建得到的構件當前的三維模型與當前實際工件之間的誤差應小于0.03mm。
4.根據權利要求2所述的構件多次刻型、化銑制造方法,其特征在于,步驟7)具體為:
7.1)從刻型設備工作臺上卸下構件,并向構件表面噴膠;
7.2)將構件裝夾在工作臺上,利用三維檢測定位系統進行定位;
7.3)將步驟6)編制的刻型加工程序導入刻型設備的數控系統,數控系統控制六軸五聯動激光加工設備在構件表面進行刻型。
5.根據權利要求3所述的構件多次刻型、化銑制造方法,其特征在于:步驟7.1)中膠層厚度為0.1mm-0.8mm。
6.根據權利要求2所述的構件多次刻型、化銑制造方法,其特征在于:步驟8)具體為:
8.1)撕去刻型后構件上待化銑部分圖案的膠膜;
8.2)利用化銑工裝裝夾構件后,將構件放入化銑池進行化銑。
7.根據權利要求1或2所述的構件多次刻型、化銑制造方法,其特征在于:在每次刻型之后利用顯微鏡進行檢測,要求將膠層完全刻透,且對構件基底無損傷,刻型線寬小于0.3mm。
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