[發明專利]用于形成金屬光柵的復合金屬層及相關器件在審
| 申請號： | 201811462765.1 | 申請日： | 2018-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN109655952A | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | 林國畫;劉明;張敏;寧提;梁宗久 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G02B27/28;G02B5/30 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 齊潔茹 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬光柵 第二金屬層 第一金屬層 復合金屬層 鉻層 金屬復合層 抗氧化 金層 鋁層 偏振 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于形成金屬光柵的復合金屬層，其特征在于，包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層為鉻層或鋁層；所述第二金屬層為鉻層或金層；所述第一金屬層和所述第二金屬層的材質不同。
2.如權利要求1所述的用于形成金屬光柵的復合金屬層，其特征在于，所述第一金屬層的厚度范圍為0.05μm-20μm；所述第二金屬層的厚度范圍為0.05μm-20μm。
3.一種偏振光電探測器，其特征在于，包括探測器本體，所述探測器本體上鍍設有如權利要求1-2任意一項所述的用于形成金屬光柵的復合金屬層；其中，所述復合金屬層中的第一金屬層鍍設在探測器本體上。
4.如權利要求3所述的偏振光電探測器，其特征在于，所述探測器本體為碲鎘汞探測器、銦鎵砷探測器、砷化鎵探測器、銻化銦探測器、氮化鎵探測器、磷化銦探測器、碳化硅探測器、氧化鋅探測器、硅探測器或多晶硅探測器。
5.一種偏振器件，其特征在于，包括器件本體，所述器件本體上鍍設有如權利要求1-2任意一項所述的用于形成金屬光柵的復合金屬層，其中，所述復合金屬層中的第一金屬層鍍設在器件本體上。
6.如權利要求5所述的偏振器件，其特征在于，所述器件本體由硅、鍺、碲化鎘、碲鋅鎘、硫化鋅或硒化鋅材料制成。
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