[發明專利]一種用N-吡咯烷基丙烯酰胺制備鈷(II)離子印跡復合膜的方法有效
| 申請號： | 201811462164.0 | 申請日： | 2018-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN109663581B | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 成會玲;胡德瓊;劉迎梅;字富庭;陳樹梁;陳云龍;胡顯智 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | B01J20/26 | 分類號： | B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C08F222/14;C08F220/60;C08J9/26;C02F101/20 |
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| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 吡咯 烷基 丙烯酰胺 制備 ii 離子 印跡 復合 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用N-吡咯烷基丙烯酰胺制備鈷(II)離子印跡復合膜的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
（1）將鈷(II)離子完全溶解在致孔劑中，加入N-吡咯烷基丙烯酰胺振蕩2～3h，加入交聯劑乙二醇二甲基丙烯酸酯和引發劑偶氮二異丁腈，搖勻，超聲5～10min，形成預聚合溶液；
所述鈷(II)離子、N-吡咯烷基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯摩爾比為1:(2～8):(10～50)；
（2）將基膜置于步驟（1）得到的預聚合溶液中，常溫浸泡3~30min，最后50~70℃反應12~24h，形成鈷離子印跡復合膜也就是Co(II)-MICM；
（3）將步驟（2）得到的鈷離子印跡復合膜Co(II)-MICM用體積比為9:1的甲醇和醋酸混合溶液洗脫模板離子，再用甲醇洗至中性，真空干燥24h得到洗脫后的鈷離子印跡復合膜Co(II)-MICM；
步驟（1）中所述致孔劑為有機溶劑和水的混合溶液，有機溶劑和水的體積比為1:1；所述有機溶劑為甲醇、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺或者異丙醇；
步驟（1）中鈷(II)離子和引發劑偶氮二異丁腈摩爾比為1:(0.06～0.12)。
2.根據權利要求1所述用N-吡咯烷基丙烯酰胺制備鈷(II)離子印跡復合膜的方法，其特征在于：步驟（2）中基膜為聚四氟乙烯微孔濾膜、聚偏氟乙烯微孔濾膜、Nylon-6微孔濾膜中的一種。
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