[發(fā)明專利]雙極型有機(jī)場效應(yīng)管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811461266.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109585655A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪越 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 儀征市坤翎鋁業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/05 | 分類號(hào): | H01L51/05 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 211400 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙極型 有機(jī)場效應(yīng)管 柵介質(zhì)層 空穴 載流子遷移率 場效應(yīng)管 疊層結(jié)構(gòu) 交叉排列 源漏電極 交界面 襯底 激子 離解 漏極 源極 | ||
本發(fā)明涉及一種雙極型有機(jī)場效應(yīng)管,包括襯底、柵極、柵介質(zhì)層、N型有源層、P型有源層、源極和漏極,其中N型有源層和P型有源層并排交叉排列在源漏電極和柵介質(zhì)層之間組成縱向疊層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)使N型有源層和P型有源層交界面處激子離解充分,提高有機(jī)雙極型場效應(yīng)管中電子和空穴的載流子遷移率。因此本發(fā)明能有效提高雙極型有機(jī)場效應(yīng)管的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于固體電子器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種縱向疊層結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管。
背景技術(shù)
雙極型有機(jī)場效應(yīng)管通常由襯底、柵極、柵介質(zhì)層、N型有源層、P型有源層、源極和漏極組成。大部分N型有源層和P型有源層為水平疊加,即N型有源層位于柵介質(zhì)和P型有源層之間或者P型有源層位于柵介質(zhì)層和N型有源層之間,我們稱這種結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管為水平疊加結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管。同時(shí),大部分有機(jī)半導(dǎo)體材料屬于單載流子傳輸型,即它對(duì)一種類型的載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于對(duì)另一種類型載流子的遷移率。通常電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴遷移率的材料稱為電子傳輸型材料,即N型材料,而空穴遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子遷移率的材料稱為空穴傳輸型材料,即P型材料。在有機(jī)半導(dǎo)體中,電子在最低未占據(jù)軌道(lowest unoccupied molecular orbital)-(LUMO)上傳輸,而空穴在最高已占據(jù)軌道(highest occupied molecular orbital)-(HOMO)上傳輸。雙極型有機(jī)場效應(yīng)管通常采用底柵頂接觸、底柵底接觸、頂柵頂接觸、頂柵底接觸四種結(jié)構(gòu)。在底柵底接觸結(jié)構(gòu)中,源漏電極位于有機(jī)半導(dǎo)體層和絕緣層之間,可以通過光刻工藝圖形化源漏電極,因此溝道長度可以做到1μm以下。在底柵頂接觸結(jié)構(gòu)中,有機(jī)半導(dǎo)體層淀積在絕緣層之上,在有機(jī)半導(dǎo)體層上面再生長金屬電極形成源漏電極,頂接觸結(jié)構(gòu)的器件由于電極與有機(jī)層接觸良好,因此具有非常好的性能。在頂柵頂接觸和頂柵底接觸結(jié)構(gòu)中,柵極是最后淀積上去的,而有機(jī)半導(dǎo)體層被襯底和絕緣層以及電極包裹,器件在空氣中非常穩(wěn)定。
與無機(jī)場效應(yīng)管相比,有機(jī)雙極型場效應(yīng)管可以傳輸兩種載流子,具有便于提高集成度、材料眾多易于調(diào)節(jié)性能、可以大面積低成本制造等優(yōu)點(diǎn)。雙極型有機(jī)場效應(yīng)管的兩個(gè)重要的特性是:在正柵壓下傳輸電子載流子和在負(fù)柵壓下傳輸空穴載流子。在常規(guī)雙極型有機(jī)場效應(yīng)管,即水平疊加結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管中,N型有源層和P型有源層交界面處激子離解不充分,電子和空穴的載流子遷移率往往太低。這些缺點(diǎn)的存在嚴(yán)重阻礙了有機(jī)雙極型場效應(yīng)管的商用前景。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服以上有機(jī)雙極型場效應(yīng)管的不足,提出一種縱向疊層結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管,以使N型有源層和P型有源層交界面處激子離解充分,提高有機(jī)雙極型場效應(yīng)管中電子和空穴的載流子遷移率。
本發(fā)明的技術(shù)方案
首先,在源漏電極和柵介質(zhì)之間,N型有源層和P型有源層采用縱向疊層結(jié)構(gòu),即N型有源層和P型有源層并排交叉排列在源漏電極和柵介質(zhì)層之間。其次,一種縱向疊層結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管采用底柵底接觸結(jié)構(gòu)。再次,縱向疊層結(jié)構(gòu)為3層N型有源層與2層P型有源層并排交叉排列或者2層N型有源層與3層P型有源層并排交叉排列。依據(jù)上述技術(shù)思路發(fā)明的一種縱向疊層結(jié)構(gòu)的雙極型有機(jī)場效應(yīng)管包括襯底、柵極、柵介質(zhì)層、N型有源層、P型有源層、源極和漏極,其中N型有源層和P型有源層并排交叉排列在源漏電極和柵介質(zhì)層之間組成縱向疊層結(jié)構(gòu)。
附圖說明
圖1是3層N型有源層與2層P型有源層并排交叉排列在源漏電極和柵介質(zhì)層之間時(shí)本發(fā)明示意圖;
圖2是2層N型有源層與3層P型有源層并排交叉排列在源漏電極和柵介質(zhì)層之間時(shí)本發(fā)明示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一
以重?fù)诫sn+-Si/SiO2為柵極/柵介質(zhì)層,并兼做襯底,C60為N型有源層,并五苯為P型有源層,采用底柵底接觸結(jié)構(gòu)的本發(fā)明制備過程如下:
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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