[發明專利]一種基于SAPO-34混合基質膜的制備方法及應用有效
| 申請號: | 201811458974.9 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN111249917B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發明(設計)人: | 楊維慎;姚瑞;彭媛 | 申請(專利權)人: | 中國科學院大連化學物理研究所 |
| 主分類號: | B01D67/00 | 分類號: | B01D67/00;B01D53/22;B01D61/36 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人: | 毛薇;李馨 |
| 地址: | 116000 遼寧*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 sapo 34 混合 基質 制備 方法 應用 | ||
1.一種混合基質膜的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)SAPO-34納米片的制備:將磷源、鋁源、硅源、模板劑和水在-20~100℃下按一定比例均勻混合,然后在5~150℃下老化0.5~96h,得到SAPO-34納米片合成液,將所述合成液轉移至反應釜,在100~200℃下晶化反應0.5~2h,晶化反應完成后離心洗滌,得到SAPO-34納米片,然后分散在溶劑中,得到納米片分散液;
(2)SAPO-34納米片在載體上的負載:將載體與所述納米片分散液接觸,在一定氣氛下于150-800℃下熱處理0.5-20h,得到納米片@載體結合物;
(3)聚合物在溶劑中的分散:將聚合物和偶聯劑均勻分散到有機溶劑中,得到聚合物分散液;
(4)SAPO-34的混合基質膜的制備:將步驟(2)得到的所述納米片@載體結合物與聚合物分散液接觸,得到所述混合基質膜;
步驟(1)所述的磷源為磷酸;鋁源為仲丁醇鋁、異丙醇鋁、氫氧化鋁、氧化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁和鋁酸鈉中的至少一種;所述硅源為無定型二氧化硅、硅溶膠、硅膠、四乙氧基硅烷、硅藻土和水玻璃中的至少一種;所述模板劑為四甲基銨、四乙基銨、三乙基甲基銨,四丙銨、四丁銨的氫氧化物或氯化物中的至少一種;其中,所述Si源:Al源=0.1-10,P源:Al源=0.5-20,模板劑:鋁源=0.5-20,水:鋁源=30-1000;
步驟(1)所述晶化反應加熱方式為微波加熱;
步驟(1)所述納米片分散液的濃度為2mg~10g/100mL;
步驟(2)中,所述載體與納米片接觸的方法為L-B法、L-S法、刮涂法、旋涂法、熱滴加法、真空抽濾法、提拉法或浸漬法中的一種;
步驟(3)所述的聚合物為聚硫化物、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯醇、聚二甲基硅氧烷、聚三甲基硅丙炔、聚偏氟乙烯、嵌段共聚醚胺中的至少一種;
步驟(3)所述的偶聯劑為硅烷類偶聯劑;
步驟(3)所述聚合物、偶聯劑和有機溶劑的質量比為:2~20:1:100~2000;
步驟(4)中,所述納米片@載體結合物與聚合物分散液接觸的方法為L-B法、L-S法、刮涂法、旋涂法、滴加法、真空抽濾法、提拉法或浸漬法中的一種。
2.根據權利要求1所述的混合基質膜的制備方法,其特征在于,對步驟(1)所述的SAPO-34納米片修飾后分散于溶劑中,所述修飾為將SAPO-34納米片置于質量濃度為0.1-50%的修飾物溶液中浸泡0.5-24h;所述修飾物為鹽酸,硫酸,氫氧化鈉,C1-C8的醇類,硅烷類偶聯劑,有機胺中的一種。
3.根據權利要求1所述的混合基質膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述納米片分散液的溶劑為水、C1-C8的醇及其衍生物中的至少一種。
4.根據權利要求3所述的混合基質膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述納米片分散液的溶劑為甲醇、乙醇、乙二醇、正丙醇、異丙醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、丙三醇、正丁醇,異丁醇、仲丁醇或叔丁醇。
5.根據權利要求1所述的混合基質膜的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述的載體多孔載體;所述多孔載體為修飾或未修飾過的氧化硅、α-氧化鋁、γ-氧化鋁、二氧化鈦、不銹鋼網、聚丙烯、聚砜、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚醚砜或聚丙烯腈中的一種;所述多孔載體孔徑大小為5nm-1μm;所述修飾為將多孔載體置于質量濃度為0.1-50%的修飾物溶液中浸泡0.5-24h;所述修飾物為鹽酸、硫酸、氫氧化鈉C1-C4醇類、硅烷類偶聯劑或有機胺中的一種。
6.根據權利要求1所述的混合基質膜的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,所述載體與納米片接觸的操作溫度為-20~250℃。
7.根據權利要求1所述的混合基質膜的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述熱處理的溫度為150-400℃;熱處理時間為2-10h;熱處理氣氛為空氣、氧氣、氮氣、氨氣中的一種。
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