[發(fā)明專利]電阻模型的建立方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811458546.6
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109543331B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田志;李娟娟;陳昊瑜;邵華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種電阻模型的建立方法，用于自對準(zhǔn)源極電阻，其特征在于，所述電阻模型的建立方法包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括存儲單元區(qū)域和非存儲單元區(qū)域；

對所述存儲單元區(qū)域建立第一電阻模型；

對所述非存儲單元區(qū)域建立第二電阻模型；

將所述第一電阻模型和所述第二電阻模型復(fù)合，以得到對應(yīng)所述半導(dǎo)體襯底的第三電阻模型；

其中，對所述存儲單元區(qū)域建立第一電阻模型包括：

將所述存儲單元區(qū)域分為有源區(qū)、淺槽隔離底部和有源區(qū)側(cè)壁三種區(qū)域；

獲取所述有源區(qū)、所述淺槽隔離底部和所述有源區(qū)側(cè)壁三種區(qū)域的電阻測試結(jié)構(gòu)；

分別計算三種所述電阻測試結(jié)構(gòu)中單位長度的電阻值；

根據(jù)所述存儲單元包含的所述有源區(qū)、淺槽隔離底部和有源區(qū)側(cè)壁三種區(qū)域的尺寸，分別結(jié)合各自區(qū)域單位長度的電阻值，建立所述存儲單元的第一電阻模型；

根據(jù)所述非存儲單元區(qū)域的方塊電阻對所述非存儲單元建立第二電阻模型；

對所述非存儲單元區(qū)域建立第二電阻模型包括：

測量所述非存儲單元區(qū)域的尺寸；

根據(jù)適用于所述非存儲單元區(qū)域的公式R＝L/W*Rs進(jìn)行計算，其中R為所述非存儲單元區(qū)域中電阻區(qū)的電阻，L為所述非存儲單元區(qū)域中電阻區(qū)的長度，W為所述非存儲單元區(qū)域中電阻區(qū)的寬度，Rs為所述非存儲單元區(qū)域中電阻區(qū)的方塊電阻。

2.如權(quán)利要求1所述的電阻模型的建立方法，其特征在于，所述有源區(qū)、所述淺槽隔離底部和所述有源區(qū)側(cè)壁三種區(qū)域中，各區(qū)域內(nèi)的電阻率相同，不同區(qū)域之間的電阻率不同。

3.如權(quán)利要求1所述的電阻模型的建立方法，其特征在于，分別計算三種所述電阻測試結(jié)構(gòu)中單位長度的電阻值包括：

對所述三種區(qū)域取相同的電阻寬度值，分別測量所述三種區(qū)域內(nèi)單位長度的電阻長度；

在所述三種區(qū)域上分別施加一定電壓V，測量對應(yīng)的電流I；

根據(jù)公式Rsqr＝V/I分別計算出所述三種區(qū)域各自單位長度的電阻值，其中Rsqr是單位長度的電阻值。

4.如權(quán)利要求1所述的電阻模型的建立方法，其特征在于，所述非存儲單元區(qū)域連接所述存儲單元區(qū)域。

5.如權(quán)利要求1所述的電阻模型的建立方法，其特征在于，所述第一電阻模型的函數(shù)關(guān)系式為：y＝0.0513x²-10.383x+833.85，其中x為所述存儲單元區(qū)域的電阻寬度，y為所述存儲單元區(qū)域的電阻。

6.如權(quán)利要求1所述的電阻模型的建立方法，其特征在于，所述第三電阻模型的函數(shù)關(guān)系式為：y＝0.0112x²-1.8349x+85.45，其中x為所述半導(dǎo)體襯底的電阻寬度，y為所述半導(dǎo)體襯底的電阻。