[發明專利]一種等離子切割實現超窄切割道的工藝

有效

• 申請號: 201811458545.1
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109894725B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 任傲傲
• 申請（專利權）人: 全訊射頻科技(無錫)有限公司
• 主分類號: B23K10/00
• 分類號: B23K10/00;B23K103/00
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云

1.一種等離子切割實現超窄切割道的工藝，其特征在于，其包括以下工藝步驟：

步驟1：采用錫膏印刷與回流焊工藝在半導體晶圓的正面做植球，所述錫膏印刷即采用錫膏印刷機錫膏刮刀的運動將錫膏印在半導體晶圓的正面，錫膏刮刀的角度為30度-60度，運動速度為5㎜/s -60㎜/s；然后通過回流焊工藝對錫膏進行熔錫焊接，回流焊峰值溫度為213度；

步驟2：將尺寸與半導體晶圓相適應的金屬環貼附在BG-UV膜上，然后將經步驟1處理的半導體晶圓翻轉，通過滾輪壓力使其正面朝下貼裝于金屬環的內側，將植球全部埋入BG-UV膜內，半導體晶圓的正面與BG-UV膜緊密接觸貼合，滾輪壓力通過氣壓控制，氣壓范圍為：0.2 Mpa -0.6Mpa，滾輪移動速度為1 mm/s -30mm/s；

步驟3：采用半導體晶圓研磨設備將經步驟2處理后的半導體晶圓的背面進行研磨；

步驟4：采用激光切割機對經步驟3處理后的半導體晶圓的背面進行保護膠涂敷操作；

步驟5：采用激光切割機對經步驟4處理后的半導體晶圓背面的保護膠進行開槽：

步驟6：對應經步驟5處理后的保護膠的開槽的位置，采用等離子切割機對半導體晶圓的背面進行超窄切割道的切割操作，超窄切割道為上寬下窄結構，超窄切割道的寬度為3μm-30μm；

步驟7：對經步驟6處理后的半導體晶圓進行保護膠清洗操作；

步驟8：將經步驟7處理后的半導體晶圓倒至DC-UV膜上。

2.根據權利要求1所述的一種等離子切割實現超窄切割道的工藝，其特征在于，在步驟4中，通過旋涂工藝將保護膠涂敷于半導體晶圓的背面，保護膠為醚類水溶性膠，保護膠的涂抹厚度為：1μm -30μm。

3.根據權利要求2所述的一種等離子切割實現超窄切割道的工藝，其特征在于，在步驟5中，激光切割機激光的能量為0.1 W -10W, 脈沖持續時間為：10ns-1fs。

4.根據權利要求3所述的一種等離子切割實現超窄切割道的工藝，其特征在于，在步驟6中，等離子切割機的工作氣體為O2，Ar, SF6, C4F8的混合氣體，平臺溫度控制在50度-80度，工作電壓為2000 V -4000V，氣壓力6mT-10mT，沉積時間為1秒-15秒，蝕刻時間為1秒-15秒，超窄切割道為Y形槽，Y形槽的上部側邊為圓弧形或直邊。

5.根據權利要求4所述的一種等離子切割實現超窄切割道的工藝，其特征在于，在步驟7中，采用清洗機清洗半導體晶圓正面的保護膠，清洗機中的清洗液為去離子水。

6.根據權利要求5所述的一種等離子切割實現超窄切割道的工藝，其特征在于，在步驟8中，倒至過程中，再一次將半導體晶圓翻轉，使半導體晶圓的正面朝上，通過滾輪壓力使半導體晶圓的背面與DC-UV膜緊密貼合，滾輪壓力通過氣壓控制，氣壓范圍為：0.2 Mpa -0.6Mpa，滾輪移動速度為1 mm/s -30mm/s。

7.采用權利要求1所述的工藝切割出超窄切割道的半導體晶圓結構，其包括半導體晶圓，半導體晶圓的正面設置有錫球，其特征在于，半導體晶圓的背面切割有超窄切割道，超窄切割道的寬度為3 um -30um。