[發明專利]酸槽式濕法刻蝕工藝

有效

• 申請號: 201811458540.9
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109560025B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 孫興
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，包括：

進行第一次酸槽刻蝕；

根據酸槽中小換酸的周期內累計處理的硅片數量計算刻蝕速率；

根據計算的刻蝕速率和硅片的薄膜的刻蝕量獲得工藝時間；

進行第二次酸槽刻蝕，根據第二次工藝刻蝕時間和第二次刻蝕掉的硅片的薄膜的值獲得實際的刻蝕速率；

從第二次酸槽刻蝕開始，根據第一次計算的刻蝕速率和實際的刻蝕速率對比，調節此次工藝刻蝕的速率的計算。

2.如權利要求1所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，所述小換酸的周期為從小換酸完成后到下一次小換酸開始為一個小換酸的周期。

3.如權利要求1所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，所述小換酸的周期內的硅片的刻蝕速率遞減。

4.如權利要求1所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，小換酸的酸為磷酸。

5.如權利要求1所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，計算刻蝕速率的方法為：

ER＝[Monitor ER-(Wafer Count×ER delta)]

其中：Monitor ER為一個小換酸周期內小換酸后的起始刻蝕速率；wafer count指一個小換酸的周期的累計處理硅片數量；ER delta指一個小換酸的周期內作業一片硅片刻蝕速率的遞減量。

6.如權利要求5所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，計算工藝時間的方法為：

工藝時間＝(工藝前值-目標值)/刻蝕速率

其中：工藝前值為刻蝕工藝處理前的薄膜厚度，目標值為刻蝕工藝處理后要求的目標薄膜厚度。

7.如權利要求6所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，所述Monitor ER和所述ERdelta可以通過實驗測試獲得。

8.如權利要求7所述的酸槽式濕法刻蝕工藝，其特征在于，所述計算的刻蝕速率與實際刻蝕速率相差越小，工藝時間的控制越精準。