[發明專利]一種復合介電薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201811457611.3 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN109705500B | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 金天翔 | 申請（專利權）人： | 東華理工大學 |
| 主分類號： | C08L27/16 | 分類號： | C08L27/16;C08J7/06;C23C14/20 |
| 代理公司： | 蘇州中合知識產權代理事務所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 趙曉芳 |
| 地址： | 344000*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種復合介電薄膜，其特征在于：由聚偏氟乙烯和金納米顆粒制備而成，按照體積分數計算，其中，金納米顆粒為0.01～0.02vol％，其余為聚偏氟乙烯；
復合介電薄膜以聚偏氟乙烯作為絕緣保護層，金納米顆粒作為中間層，構成聚合物-金屬-聚合物三明治結構；
復合介電薄膜的制備方法包括以下制備步驟：
(1)選取聚偏氟乙烯樹脂加入到溶劑中溶解均勻形成聚偏氟乙烯溶液；
(2)將聚偏氟乙烯溶液均勻涂布在模具表面，干燥制成PVDF薄膜，PVDF薄膜的厚度為35～40μm；
(3)將PVDF薄膜置于離子濺射儀或磁控濺射鍍膜儀中進行單面鍍金處理；
(4)將鍍金后的薄膜置于模腔中，鍍金面向上，在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液，烘干后從模具上剝離即得PVDF/金納米顆粒復合介電薄膜。
2.如權利要求1所述的一種復合介電薄膜的制備方法，其特征在于：包括如下制備步驟：
(1)選取聚偏氟乙烯樹脂加入到溶劑中溶解均勻形成聚偏氟乙烯溶液；
(2)將聚偏氟乙烯溶液均勻涂布在模具表面，干燥制成PVDF薄膜；
(3)將PVDF薄膜置于離子濺射儀或磁控濺射鍍膜儀中進行單面鍍金處理；
(4)將鍍金后的薄膜置于模腔中，鍍金面向上，在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液，烘干后從模具上剝離即得PVDF/金納米顆粒復合介電薄膜。
3.根據權利要求2所述的一種復合介電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)所述溶劑是指能夠溶解或均勻分散聚偏氟乙酸樹脂的任意溶劑。
4.根據權利要求2所述的一種復合介電薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)均勻涂布在模具表面的聚偏氟乙烯的厚度為35～40μm。
5.根據權利要求2～4任意一項所述的一種復合介電薄膜的制備方法，其特征在于：所述金納米顆粒的粒徑為40～70nm。
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