[發明專利]電壓檢測電路、過壓保護開關及電子設備

在審

• 申請號: 201811457470.5
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109379065A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 何永強;程劍濤;杜黎明;羅旭程;張艷萍
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03K17/042
• 分類號: H03K17/042
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 劉新雷;王寶筠

1.一種電壓檢測電路，其特征在于，包括：分壓模塊和比較器；其中，

所述分壓模塊包括第一電阻，以及與所述第一電阻串聯的第二電阻；

所述第一電阻遠離所述第二電阻的一端用于接收輸入電壓，所述第二電阻遠離所述第一電阻的一端用于接地；

所述比較器包括第一電壓跟隨器、第二電壓跟隨器和第一比較電路；

所述第一電阻和所述第二電阻的連接節點，與所述第一比較電路的電壓輸入端之間連接所述第一電壓跟隨器；

所述第二電壓跟隨器的輸出端連接所述第一比較電路的參考電壓輸入端，所述第二電壓跟隨器的輸入端用于接收參考電壓；

所述第一電壓跟隨器和所述第二電壓跟隨器均采用源跟隨接法。

2.根據權利要求1所述的電壓檢測電路，其特征在于，所述第一比較電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和電流源，其中，

所述第一PMOS管的源極為電源端、所述第一PMOS管的漏極為電壓輸出端、以及所述第一PMOS管的柵極連接所述第二PMOS管的漏極；

所述第二PMOS管的源極連接所述電源端，所述第二PMOS管的柵極連接所述第三PMOS管的柵極；

所述第三PMOS管的源極連接所述電源端，所述第三PMOS管的漏極接所述第二PMOS管的柵極；

所述電流源的輸入端連接所述電源端；

所述第一NMOS管的漏極和柵極均連接所述電流源的輸出端，所述第一NMOS管的源極接地；

所述第二NMOS管的柵極連接所述電流源的輸出端，所述第二NMOS管的漏極連接所述電壓輸出端，所述第二NMOS管的源極接地；

所述第三NMOS管的柵極連接所述電流源的輸出端，所述第三NMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的源極，所述第三NMOS管的源極接地；

所述第四NMOS管的柵極為所述電壓輸入端，所述第四NMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的漏極，所述第四NMOS管的源極連接所述第五NMOS管的源極；

所述第五NMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的漏極，所述第五NMOS管的柵極為所述參考電壓輸入端。

3.根據權利要求2所述的電壓檢測電路，其特征在于，所述第一電壓跟隨器包括第四PMOS管、第五PMOS管和電容；

所述第二電壓跟隨器包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第六NMOS管；

所述第四PMOS管的柵極連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接節點，所述第四PMOS管的漏極接地，所述第四PMOS管的源極連接所述電壓輸入端；

所述第五PMOS管的漏極連接所述第四PMOS管的源極，所述第五PMOS管的源極連接所述電源端，所述第五PMOS管的柵極連接所述電容的一端，所述電容的另一端連接所述第四NMOS管的漏極；

所述第六PMOS管的源極連接所述電源端，所述第六PMOS管的柵極連接所述第七PMOS管的柵極，所述第六PMOS管的漏極連接所述第八PMOS管的源極；

所述第七PMOS管的源極連接所述電源端，所述第七PMOS管的漏極連接所述第六PMOS管的柵極，所述第七PMOS管的柵極連接第五PMOS管的柵極；

所述第八PMOS管的源極連接所述第五NMOS管的柵極，所述第八PMOS管的漏極接地，所述第八PMOS管的柵極用于接收參考電壓；

所述第六NMOS管的漏極連接所述第七PMOS管的漏極，所述第六NMOS管的柵極連接所述電流源的輸出端，所述第六NMOS管的源極接地。

4.根據權利要求3所述的電壓檢測電路，其特征在于，還包括：連接在所述第七PMOS管的柵極連接第五PMOS管的柵極之間的第三電阻。