[發明專利]一種近紅外熒光粉以及含該熒光粉的發光裝置有效
| 申請號： | 201811456914.3 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN110857389B | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發明（設計）人： | 劉榮輝;劉元紅;陳曉霞;馬小樂;高慰;陳明月 | 申請（專利權）人： | 有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/78 | 分類號： | C09K11/78;C09K11/80;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京中創云知識產權代理事務所(普通合伙) 11837 | 代理人： | 肖佳 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紅外 熒光粉 以及 發光 裝置 | ||
1.一種近紅外熒光粉，其特征在于，該熒光粉包含化學式為AxRpOr:Dy的無機化合物，其中，
所述A元素選自Sc、Y、La、Lu和Gd元素中的一種或兩種；
所述R元素包括Ga元素，并添加Al、B和In元素中的一種；
所述D元素包括Cr元素，并添加Ce、Eu、Tb、Bi、Dy、Yb、Pr、Nd和Er元素中的一種；
且參數x、p、r和y滿足如下條件：0.8≤x≤1.2，0.8≤p≤1.2，2≤r≤4，0.0001≤y≤0.25；
該近紅外熒光粉的發射主峰位于780-1600nm。
2.根據權利要求1所述的近紅外熒光粉，其特征在于，所述參數x、p、r和y滿足如下條件：(x+y)：p：r＝1：1：3。
3.根據權利要求1或2所述的近紅外熒光粉，其特征在于，所述R元素中，Ga元素占所述R元素的摩爾含量比例大于等于30％。
4.根據權利要求3所述的近紅外熒光粉，其特征在于，所述A元素為Sc元素。
5.一種制備權利要求1-4任一項所述近紅外熒光粉的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)以選定的A、R和D元素所對應的化合物為原料，按選定的化學計量比混勻；所得混合物；
(2)將所得混合物在1200-1500℃，于空氣或保護氣氛中進行燒結2-10h，獲得焙燒產物；所得焙燒產物經過破碎、研磨、分級和篩洗的后處理，即得所需近紅外熒光粉。
6.根據權利要求5所述的制備所述近紅外熒光粉的方法，其特征在于，所述A、R和D元素所對應的化合物包括氧化物、碳酸鹽和/或硝酸鹽。
7.一種發光裝置，包含光源和發光材料，其特征在于，所述發光材料包括權利要求1-4中任一項所述的近紅外熒光粉。
8.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述光源為發射峰值波長范圍為350-500nm的半導體芯片。
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