[發明專利]基于周期性光柵化柵極金屬柵MOSFET太赫茲探測器

有效

• 申請號: 201811456308.1
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109541712B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 馬建國;周紹華
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: G01V8/10
• 分類號: G01V8/10
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 吳學穎

1.一種基于周期性光柵化柵極金屬柵MOSFET太赫茲探測器，其特征在于，包括具有周期性光柵化柵極及其各種不同圖案形式的金屬柵MOSFET(Q1)、低噪聲前置放大器(Q2)和電壓反饋回路；

所述金屬柵MOSFET(Q1)的柵極用于接收太赫茲信號，所述金屬柵MOSFET(Q1)的柵極經一號偏置電阻(Rb1)連接一號偏置電壓源(Vb1)，所述金屬柵MOSFET(Q1)的源極接地(GND)，所述金屬柵MOSFET(Q1)的漏極和低噪聲前置放大器(Q2)的正向輸入端之間連接有一號隔直電容(C1)；所述低噪聲前置放大器(Q2)的正向輸入端經二號偏置電阻(Rb2)連接二號偏置電壓源(Vb2)；

所述電壓反饋回路包括反饋電阻(Rf)、接地電阻(Rg)、二號隔直電容(C2)和三號隔直電容(C3)，所述反饋電阻(Rf)連接于低噪聲前置放大器(Q2)的輸出端和反向輸入端之間，所述接地電阻(Rg)一端連接低噪聲前置放大器(Q2)的反向輸入端，另一端經二號隔直電容(C2)接地(GND)，所述三號隔直電容(C3)一端連接低噪聲前置放大器(Q2)的輸出端，另一端接地(GND)。

2.根據權利要求1所述的基于周期性光柵化柵極金屬柵MOSFET太赫茲探測器，其特征在于，所述一號偏置電壓源(Vb1)和一號偏置電阻(Rb1)用于給金屬柵MOSFET(Q1)提供直流供電，通過調節金屬柵MOSFET(Q1)柵極的光柵化結構參數來實現THz響應波段范圍的調節。