[發(fā)明專利]一種顯示面板和一種顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811454934.7 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN109360851B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬揚昭;彭濤;王永志 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板和一種顯示裝置。一種顯示面板包括像素驅(qū)動電路,像素驅(qū)動電路包括用于傳輸掃描信號的掃描線、用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線、用于傳輸恒定電壓信號的電源線;掃描線位于第一金屬層,電源線位于第二金屬層,數(shù)據(jù)線位于第三金屬層,第二金屬層位于第一金屬層與第三金屬層之間;顯示面板包括驅(qū)動晶體管、第一連接部;驅(qū)動晶體管的柵極位于第一金屬層,驅(qū)動晶體管的柵極與第一連接部連接;電源線位于數(shù)據(jù)線與第一連接部之間。在本發(fā)明中,數(shù)據(jù)線與第一連接部耦合的寄生電容變小,驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流的偏移變小,有機發(fā)光元件的發(fā)光強度受到的干擾變小。
【技術領域】
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板和一種顯示裝置。
【背景技術】
目前,有機發(fā)光顯示技術的發(fā)展趨勢在于提高分辨率、縮小像素尺寸;但是,其中的寄生電容對顯示畫面的干擾變大。
【發(fā)明內(nèi)容】
為了解決上述技術問題,本發(fā)明提供一種顯示面板和一種顯示裝置。
一方面,一種顯示面板包括像素驅(qū)動電路,所述像素驅(qū)動電路包括用于傳輸掃描信號的掃描線、用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線、用于傳輸恒定電壓信號的電源線;
所述掃描線位于第一金屬層,所述電源線位于第二金屬層,所述數(shù)據(jù)線位于第三金屬層,所述第二金屬層位于所述第一金屬層與所述第三金屬層之間;
所述顯示面板包括驅(qū)動晶體管、第一連接部;
所述驅(qū)動晶體管的柵極位于所述第一金屬層,所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述第一連接部連接;
所述電源線位于所述數(shù)據(jù)線與所述第一連接部之間。
可選地,所述第一連接部包括第一連接線、第二連接線、第一導通孔、第二導通孔;
所述第一連接線位于所述第二金屬層,所述第一連接線與所述驅(qū)動晶體管的柵極交疊,所述第一連接線與所述驅(qū)動晶體管的柵極采用所述第一導通孔連接;
所述第二連接線位于半導體層,所述第二連接線與所述第一連接線交疊,所述第二連接線與所述第一連接線采用所述第二導通孔連接,所述半導體層位于所述第一金屬層遠離所述第二金屬層的一側(cè)。
可選地,所述電源線與所述數(shù)據(jù)線交疊,所述電源線與所述驅(qū)動晶體管的柵極交疊。
可選地,所述電源線與所述數(shù)據(jù)線交疊的區(qū)域與所述電源線所在區(qū)域的面積之比大于等于30%并且小于等于70%。
可選地,所述像素驅(qū)動電路包括第二連接部,所述第二連接部包括第三連接線、第三導通孔;
所述第三連接線位于所述半導體層,所述第三連接線與所述數(shù)據(jù)線交疊,所述第三連接線與所述數(shù)據(jù)線采用所述第三導通孔連接;
所述電源線包括缺口區(qū);
所述第三導通孔貫穿所述缺口區(qū)。
可選地,所述電源線在所述缺口區(qū)處沒有尖端。
可選地,所述缺口區(qū)包括梯形剖面,所述梯形剖面包括第一斜邊、第二斜邊;
所述第一斜邊與所述第二斜邊的夾角大于等于10度并且小于等于170度。
可選地,所述電源線中斷所述第一連接線與所述數(shù)據(jù)線的連線。
可選地,所述電源線中斷所述第二連接線與所述數(shù)據(jù)線的連線。
可選地,所述像素驅(qū)動電路包括屏蔽電極、第四導通孔;
所述屏蔽電極位于第四金屬層,所述屏蔽電極與所述電源線交疊,所述屏蔽電極與所述電源線采用所述第四導通孔連接,所述第四金屬層位于所述第一金屬層與所述第二金屬層之間;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





