[發明專利]一種高隔離度吸收式一分六開關有效
| 申請號: | 201811454737.5 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN109560796B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 劉伯文;崔平;劉立浩 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十四研究所 |
| 主分類號: | H03K17/567 | 分類號: | H03K17/567 |
| 代理公司: | 河北東尚律師事務所 13124 | 代理人: | 王文慶 |
| 地址: | 050081 河北省石家*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 隔離 吸收 一分 開關 | ||
1.一種高隔離度吸收式一分六開關,包括一個單刀雙擲開關和兩個相同的單刀三擲開關;其特征在于,單刀雙擲開關由公共輸入端和對稱分布的兩個支路組成;公共輸入端中輸入端口與由電阻R1、R2和R3組成的π型衰減器一端相連,π型衰減器另一端與并聯電感L1的一端相連,并聯電感L1的另一端接地;其中一個支路中串聯二極管D1的正極與公共輸入端中π型衰減器和并聯電感L1的公共端相連;串聯二極管D1的負極與并聯二極管D2的正極、并聯二極管D3的正極以及第一直流偏置電路的一端相連,并聯二極管D2和并聯二極管D3的負極接地,第一直流偏置電路的另一端與直流控制端口相連,其中,第一直流偏置電路由并聯電容C1和串聯電感L2相連構成;
單刀三擲開關由公共輸入端和對稱分布的三個支路組成;公共輸入端中串聯電容C2的一端與單刀雙擲開關中串聯二極管D1的負極、并聯二極管D2的正極、并聯二極管D3的正極以及第一直流偏置電路的公共端相連;串聯電容C2的另一端與并聯電感L3的一端相連,并聯電感L3的另一端接地;其中一個支路中串聯二極管D4的正極與公共輸入端中串聯電容C2和并聯電感L3的公共端相連,串聯二極管D4的負極與并聯二極管D5的正極、并聯二極管D6的正極、并聯二極管D7的正極、第二直流偏置電路的一端、并聯二極管D8的正極以及串聯二極管D9的負極相連,并聯二極管D5、并聯二極管D6、并聯二極管D7和并聯二極管D8的負極接地,第二直流偏置電路的另一端接直流控制端口,其中第二直流偏置電路由并聯電容C3、串聯電感L5和串聯電感L4相連構成;串聯二極管D9的正極與并聯二極管D10的負極、并聯電感L6以及電阻R5、R6、R7構成的π型衰減器的公共端相連,并聯二極管D10的正極與射頻吸收電路和第二直流偏置電路的公共端相連,射頻吸收電路的另一端接地,其中,射頻吸收電路由串聯電容C4和串聯電阻R4相連,電阻R5、R6、R7構成的π型衰減器的另一端接輸出端口,并聯電感L6的另一端接地。
2.根據權利要求1所述的一種高隔離度吸收式一分六開關,其特征在于,所述二極管D1~D10為管芯形式,性能參數為Cj=0.05pf,Rf=2.0Ω。
3.根據權利要求1所述的一種高隔離度吸收式一分六開關,其特征在于,串聯電容C4和串聯電阻R4組成的射頻吸收電路中的電阻阻值為49.9Ω。
4.根據權利要求1所述的一種高隔離度吸收式一分六開關,其特征在于,一分六開關分布在介質板上,介質板的介電常數為2.2,厚度為0.254mm。
5.根據權利要求1所述的一種高隔離度吸收式一分六開關,其特征在于,二極管鍵合采用的金絲直徑為18μm,方式采用三點式鍵合。
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