[發(fā)明專利]彩色熱貼層、彩色太陽能電池芯片及彩色太陽能電池組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811453972.0
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN110970519A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱偉;張繼凱;程曉龍;康帥;裴鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 漢能移動能源控股集團有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/054
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 劉昕;南霆

1.一種彩色熱貼層，其特征在于，包括：

基層；

彩色膜層，所述彩色膜層直接附在所述基層上且所述彩色膜層具有多層復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及

膠層，所述膠層設(shè)置在所述彩色膜層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色熱貼層，其特征在于，所述彩色膜層包括：

交替設(shè)置的至少一層第一膜層與至少一層第二膜層，其中，所述第一膜層具有第一折射率，所述第二膜層具有第二折射率，所述第一折射率與所述第二折射率不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彩色熱貼層，其特征在于，所述第一折射率與所述第二折射率之差不低于0.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彩色熱貼層，其特征在于，所述第一膜層為五氧化三鈦膜層，所述第二膜層為二氧化硅膜層；由所述基層開始，三層所述第一膜層與三層所述第二膜層交替層疊設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彩色熱貼層，其特征在于，由所述基層開始，

第一層所述第一膜層的厚度為103.5nm～108.5nm；

第二層所述第一膜層的厚度為74.5nm～79.5nm；

第三層所述第一膜層的厚度為67nm～72nm；

第一層所述第二膜層的厚度為147nm～152nm；

第二層所述第二膜層的厚度為140nm～145nm；

第三層所述第二膜層的厚度為71.5nm～76.5nm；

所述彩色膜層的總厚度為608.5nm～628.5nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彩色熱貼層，其特征在于，由所述基層開始，

第一層所述第一膜層的厚度為90nm～95nm；

第二層所述第一膜層的厚度為64.5nm～69.5nm；

第三層所述第一膜層的厚度為58nm～63nm；

第一層所述第二膜層的厚度為129nm～134nm；

第二層所述第二膜層的厚度為122.5nm～127.5nm；

第三層所述第二膜層的厚度為62.5nm～67.5nm；

所述彩色膜層的總厚度為531.5nm～551.5nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彩色熱貼層，其特征在于，所述第一膜層為五氧化三鈦膜層，所述第二膜層為二氧化硅膜層；

由所述基層開始，六層所述第一膜層與六層所述第二膜層交替設(shè)置，或者六層所述第二膜層與六層所述第一膜層交替設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的彩色熱貼層，其特征在于，由所述基層開始，

第一層所述第一膜層的厚度為17nm～22nm；

第二層所述第一膜層的厚度為41.5nm～46.5nm；

第三層所述第一膜層的厚度為49nm～54nm；

第四層所述第一膜層的厚度為39.5nm～44.5nm；

第五層所述第一膜層的厚度為40.5nm～45.5nm；

第六層所述第一膜層的厚度為49.5nm～54.5nm；

第一層所述第二膜層的厚度為62.5nm～67.5nm；

第二層所述第二膜層的厚度為54nm～59nm；

第三層所述第二膜層的厚度為52nm～57nm；

第四層所述第二膜層的厚度為57nm～62nm；

第五層所述第二膜層的厚度為77.5nm～82.5nm；

第六層所述第二膜層的厚度為102.5nm～107.5nm；

所述彩色膜層的總厚度為661.5nm～581.5nm。

9.一種彩色太陽能電池芯片，其特征在于，包括：

權(quán)利要求1-8中任一項所述的彩色熱貼層；

電路層，與所述彩色熱貼層的所述基層貼合；

貼層，與所述電路層背離所述彩色熱貼層的一側(cè)貼合；以及

基板，與所述貼層背離所述電路層的一側(cè)貼合。

10.一種彩色太陽能電池組件，其特征在于，包括：

權(quán)利要求9所述的彩色太陽能電池芯片；

背板，與所述基板貼合，

透光前板，與所述彩色熱貼層貼合。