[發(fā)明專利]高壓半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811453965.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110783402A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許健;韋維克;陳柏安;謝克·麥斯坦巴雪;戴許曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·內(nèi)亞茲·依曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 11127 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一第一導(dǎo)電類型；

一第一高壓阱，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底內(nèi)且具有與該第一導(dǎo)電類型相反的一第二導(dǎo)電類型；

一第一埋層，設(shè)置于該第一高壓阱上且具有該第一導(dǎo)電類型；

一第二埋層和一第三埋層，設(shè)置于該第一高壓阱上且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該第一埋層位于該第二埋層與該第三埋層之間；

一外延層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上，其中該第一埋層、該第二埋層和該第三埋層自該半導(dǎo)體基底延伸至該外延層內(nèi)；以及

一源極區(qū)和一漏極區(qū)，設(shè)置于該第一埋層上且具有該第二導(dǎo)電類型。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第二高壓阱，設(shè)置于該外延層內(nèi)且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該源極區(qū)和該漏極區(qū)位于該第二高壓阱內(nèi)，且其中該第一埋層夾設(shè)于該第一高壓阱與該第二高壓阱之間；以及

一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該外延層上且位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一高壓阱鄰接該第二埋層和該第三埋層。

4.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一高壓阱的相對(duì)兩側(cè)分別具有一第一漸細(xì)部和一第二漸細(xì)部，該第一漸細(xì)部沿著該第一高壓阱往該第二埋層的方向上漸細(xì)，且該第二漸細(xì)部沿著該第一高壓阱往該第三埋層的方向上漸細(xì)，且其中該第一漸細(xì)部和該第二漸細(xì)部分別鄰接該第二埋層和該第三埋層。

5.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一高壓阱包括多個(gè)區(qū)段，該多個(gè)區(qū)段中相鄰的兩者通過(guò)一連接部相連，且該連接部的厚度小于該多個(gè)區(qū)段的厚度。

6.一種高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一第一導(dǎo)電類型；

一第一高壓阱，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底內(nèi)且具有與該第一導(dǎo)電類型相反的一第二導(dǎo)電類型；

一第一埋層，設(shè)置于該第一高壓阱上且具有該第一導(dǎo)電類型；

一第二高壓阱，設(shè)置于該第一埋層上且具有該第二導(dǎo)電類型；

一外延層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上，其中該第一埋層的一部分和該第二高壓阱位于該外延層內(nèi)；以及

一源極區(qū)和一第一漏極區(qū)，設(shè)置于該第二高壓阱內(nèi)且具有該第二導(dǎo)電類型。

7.如權(quán)利要求6所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第二漏極區(qū)，設(shè)置于該第二高壓阱內(nèi)且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該源極區(qū)位于該第一漏極區(qū)與該第二漏極區(qū)之間；

一第一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上，且位于該第一漏極區(qū)與該源極區(qū)之間；以及

一第二柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上，且位于該源極區(qū)與該第二漏極區(qū)之間。

8.如權(quán)利要求6所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第三高壓阱，鄰接該第二高壓阱且具有該第一導(dǎo)電類型，其中該第一埋層和該第一高壓阱延伸至該第三高壓阱下。

9.如權(quán)利要求8所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第二埋層，設(shè)置于該第一高壓阱上且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該第二埋層鄰接該第一埋層，且該第一高壓阱延伸至該第二埋層下；以及

一第四高壓阱，設(shè)置于該第二埋層上且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該第三高壓阱位于該第四高壓阱與該第二高壓阱之間。

10.如權(quán)利要求9所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第五高壓阱，鄰接該第二高壓阱且具有該第一導(dǎo)電類型，其中該第二高壓阱位于該第五高壓阱與該第三高壓阱之間；

一第三埋層，設(shè)置于該第一高壓阱上且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該第一埋層位于該第二埋層與該第三埋層之間；以及

一第六高壓阱，設(shè)置于該第三埋層上且具有該第二導(dǎo)電類型，其中該第五高壓阱位于該第二高壓阱與該第六高壓阱之間，且該第一高壓阱延伸至該第六高壓阱下。