[發明專利]一種發光二極管外延片制備方法在審
| 申請號： | 201811453957.6 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN109545920A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 魏曙亮 | 申請（專利權）人： | 江蘇中谷光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧;朱成之 |
| 地址： | 226017 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 緩沖層 預鍍層 沉積 接觸層 襯底 發光二極管外延 發光層 預鍍 制備 產品品質 厚度調節 金屬組份 在線監測 最佳匹配 鋁組份 | ||
1.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，包含以下步驟：
S1、在襯底上預鍍預鍍層；
S2、獲取所述預鍍層厚度；
S3、根據獲取的預鍍層厚度在所述預鍍層上沉積緩沖層；
S4、在所述緩沖層上沉積第一接觸層；
S5、在所述第一接觸層上沉積發光層；
S6、在所述發光層上沉積第二接觸層。
2.如權利要求1所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，在步驟S3中，所述緩沖層為低溫氮化鎵層，所述低溫氮化鎵層厚度保持一固定數值；
所述低溫氮化鎵層中摻雜鋁，使得鋁組份含量根據所述預鍍層厚度進行調節；
當所述預鍍層厚度小于目標厚度時，調節鋁組份使鋁組份含量減小；當所述預鍍層厚度大于目標厚度時，調節鋁組份使鋁組份含量增大。
3.如權利要求2所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述低溫氮化鎵層中鋁組份含量通過鋁源流量進行調節。
4.如權利要求3所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述鋁源流量以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大；
對應沉積溫度以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大；或，
對應沉積轉速以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大；或，
對應沉積壓力以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大。
5.如權利要求1所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，在步驟S3中，所述緩沖層為低溫氮化鎵層，所述低溫氮化鎵層厚度根據所述預鍍層厚度進行調節；
當所述預鍍層厚度小于目標厚度時，增大所述低溫氮化鎵層厚度，當所述預鍍層厚度大于目標厚度時，減小所述低溫氮化鎵層厚度。
6.如權利要求5所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述低溫氮化鎵層厚度通過氨氣流量進行調節。
7.如權利要求6所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述氨氣流量以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大；
對應沉積溫度以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大；或，
對應沉積轉速以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大；或，
對應沉積壓力以線性漸變方式或間隔漸變方式減小或增大。
8.如權利要求2-7中任意一項所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述第一接觸層是N型氮化鎵層或P型氮化鎵層，所述第二接觸層是N型氮化鎵層或P型氮化鎵層；
所述襯底包含：藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底；且，
所述預鍍層是氮化鋁層。
9.如權利要求2-7中任意一項所述的一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述發光層為單量子阱層或多量子阱層；
所述多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和量子壘層。
10.一種發光二極管外延片，其特征在于，利用權利要求1-9任一項所述的發光二極管外延片制備方法來制備而成，所述發光二極管外延片由下而上包含：襯底、預鍍層、緩沖層、第一接觸層、發光層、第二接觸層；
其中緩沖層的厚度或緩沖層中的金屬組份含量，根據預鍍層的厚度來調節，使襯底、預鍍層、緩沖層達到最佳匹配度。
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