[發(fā)明專利]石墨烯表面等離激元的粒子模擬仿真方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811453832.3 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN109446727B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉大剛;劉臘群;高杉;王輝輝 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G06F30/25 | 分類號: | G06F30/25;G06F30/23;G06F111/10 |
| 代理公司: | 成都惠迪專利事務(wù)所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 劉勛 |
| 地址: | 610000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨 表面 離激元 粒子 模擬 仿真 方法 | ||
1.石墨烯表面等離激元的粒子模擬仿真方法,其特征在于,包括下述步驟:
1)首先對不同石墨烯的電導率模型進行分析,將石墨烯等效成一個二維的平面后,其電導率公式為:
石墨烯層兩邊的邊界條件為:
E1t=E2t
D1n-D2n=ρs
B1n=B2n
石墨烯中的線電流密度表示為:
Js=σEt
將Js轉(zhuǎn)換為垂直于石墨烯面的Jf:
Jf=JsΔz=σEtΔl
其中Δl為垂直于石墨烯面的網(wǎng)格大小;
由電導率公式可得:
進而可得:
進行差分,獲得石墨烯所在網(wǎng)格面電流密度的差分迭代公式:
其中,Δt為模擬的時間步長,Δl為垂直于石墨烯方向的模擬網(wǎng)格大小,e為電子的電量,KB為玻爾茲曼常量,T為環(huán)境溫度,為普朗克常數(shù),μc為石墨烯的化學勢,τ為弛豫時間,Et為平行于石墨烯方向的電場,(Jf)t為石墨烯所在網(wǎng)格面上的面電流密度;
2)根據(jù)空間網(wǎng)格上第n步的電場、第n+1/2步的面電流密度以及第n+1/2步的磁場,由下式迭代求解得到第n+1步各個方向的電場強度Ex、Ey和Ez:
上式中,Ex,Ey,Ez分別代表x,y,z方向的電場,i,j,k分別代表x,y,z方向的坐標索引值,ε為介質(zhì)的介電常數(shù),Δt為模擬的時間步長,Δx,Δy,Δz分別代表x,y,z方向的網(wǎng)格大小;
3)根據(jù)空間網(wǎng)格上第n+1/2步的磁場和第n+1步的電場,由下式計算第n+3/2步的磁場:
第n+3/2步的各個方向的磁場強度Hx、Hy和Hz:
其中,Ex,Ey,Ez分別代表x,y,z方向的電場,Hx,Hy,Hz分別代表x,y,z方向的磁場,各電磁場分量的上標n+1/2和n+1和n+3/2表示場分量對應(yīng)的時間步,i,j,k分別代表x,y,z方向的坐標索引值,μ0為真空的磁導率,Δt為模擬的時間步長,Δx,Δy,Δz分別代表x,y,z方向的網(wǎng)格大小。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學,未經(jīng)電子科技大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811453832.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





