[發明專利]有機發光二極管顯示裝置

有效

• 申請號: 201811453693.4
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109994072B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 樸帝薰
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;李彥麗

1.一種有機發光二極管OLED顯示裝置，包括：

顯示面板，其包括以矩陣形式排列以顯示圖像的多個OLED像素，并且

其中，所述多個OLED像素各自包括：

開關薄膜晶體管TFT，其響應于通過柵極線輸入的掃描信號切換從數據線提供的數據電壓通路；

驅動TFT，其根據從所述開關TFT提供的數據電壓的幅度導通，以控制從OLED發出的光的量；以及

可變存儲電容器，其連接至所述驅動TFT的柵電極，并且具有根據施加至所述驅動TFT的柵電極的電壓的幅度而變化的電容，

其中，所述可變存儲電容器的電容在數據電壓通過所述開關TFT被輸入和采樣并且被輸入至所述驅動TFT的柵極端子的時段期間逐漸增加，并且在所述驅動TFT導通并且所述OLED保持發光和發光狀態的時段期間逐漸減少。

2.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置，其中，

所述可變存儲電容器形成在所述驅動TFT的柵極端子和高電位或低電位電壓供應端子之間，使得存儲電容響應于所述驅動TFT的所述柵極端子和所述高電位或低電位電壓供應端子之間的電壓差而實時變化。

3.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置，其中，

所述可變存儲電容器包括依次堆疊在基板上的氧化物半導體層、柵極絕緣膜和導電電極層，并且

所述導電電極層電連接至所述驅動TFT的所述柵極端子，并且所述氧化物半導體層電連接至所述高電位或低電位電壓供應端子。

4.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置，其中，

所述驅動TFT是其中有源層由低溫多晶硅LTPS制成并且在基板上以共面結構形成的LTPS型TFT，并且

所述可變存儲電容器包括依次堆疊在所述基板上的氧化物半導體層、柵極絕緣層和導電電極層，并且形成為與所述驅動TFT交疊預定區域。

5.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置，其中，

所述可變存儲電容器形成在所述驅動TFT的柵極端子和電容器電壓輸入電路之間，使得存儲電容響應于所述驅動TFT的所述柵極端子和所述電容器電壓輸入電路之間的電壓差而實時變化，或者

所述可變存儲電容器形成在所述驅動TFT的柵極端子和參考電壓輸入端子之間，使得存儲電容響應于所述驅動TFT的所述柵極端子和所述參考電壓輸入端子之間的電壓差而實時變化。

6.一種有機發光二極管OLED顯示裝置，包括：

顯示面板，其包括以矩陣形式排列以顯示圖像的多個OLED像素，

其中，所述多個OLED像素各自包括：

開關薄膜晶體管TFT，其響應于通過柵極線輸入的掃描信號切換從數據線提供的數據電壓通路；

驅動TFT，其根據從所述開關TFT提供的數據電壓的幅度導通，以控制從OLED發出的光的量；

可變存儲電容器，其連接至所述驅動TFT的柵電極，并且具有根據施加至所述驅動TFT的所述柵電極的電壓的幅度而變化的電容；以及

固定電容器，其具有比所述可變存儲電容器小的固定電容，并且并聯連接至所述可變存儲電容器。

7.根據權利要求6所述的OLED顯示裝置，其中，

所述固定電容器包括所述驅動TFT的所述柵電極和導電電極層，所述導電電極層與所述驅動TFT的所述柵電極的至少部分區域交疊，柵極絕緣膜位于所述導電電極層與所述驅動TFT的所述柵電極之間，并且

所述導電電極層電連接至高電位或低電位電壓供應端子。

8.根據權利要求6所述的OLED顯示裝置，其中，

所述驅動TFT是其中有源層由低溫多晶硅LTPS制成并且在基板上以共面結構形成的LTPS型TFT，并且

所述可變存儲電容器包括所述驅動TFT的所述柵電極和導電電極層，所述導電電極層與所述驅動TFT的所述柵電極的至少部分區域交疊，柵極絕緣膜位于所述導電電極層與所述驅動TFT的所述柵電極之間，并且所述可變存儲電容器形成為與所述驅動TFT交疊預定區域。