[發明專利]半導體組件及其制造方法在審
| 申請號： | 201811452431.6 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN109509758A | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 肖東輝 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 內層介電層 多晶硅層 源極 半導體組件 漏極 氫化 柵極絕緣層 基板 金屬導線 快速回火 漏極接觸 柵極形成 鈍化層 氫原子 上表面 布植 覆蓋 植入 離子 制造 穿過 | ||
1.一種半導體組件，其特征在于，包括：
基板；
多晶硅層，其中所述多晶硅層形成在所述基板上，所述多晶硅層包括源極、通道及漏極，所述源極及所述漏極形成在所述多晶硅層的二側，所述通道形成在所述源極及所述漏極之間；
柵極絕緣層，其中所述柵極絕緣層形成在所述多晶硅層上；
柵極，其中所述柵極形成在所述柵極絕緣層上，且所述柵極形成在所述通道的正上方；
內層介電層，其中所述內層介電層形成在所述柵極上方且覆蓋所述柵極，所述內層介電層通過離子布植植入氫原子且經高溫快速回火形成氫化的內層介電層；
金屬導線，其中所述金屬導線穿過所述氫化的內層介電層的上表面，且分別與所述源極及所述漏極接觸；以及
鈍化層，其中所述鈍化層覆蓋所述氫化的內層介電層。
2.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，還包括畫素電極。
3.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，還包括形成在所述基板與所述多晶硅層之間的遮光層。
4.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述多晶硅層包括氧化硅及氮化硅。
5.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述離子布植植入氫原子還能進一步植入氫原子到所述通道內。
6.一種半導體組件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成多晶硅層在所述基底上，其中所述多晶硅層包括源極、通道及漏極，所述源極及所述漏極形成在所述多晶硅層的二側，所述通道形成在所述源極及所述漏極之間；
形成柵極絕緣層在所述多晶硅層上；
形成柵極在所述柵極絕緣層上，且所述柵極形成在所述通道的正上方；
形成內層介電層在所述柵極上方且覆蓋所述柵極，其中所述內層介電層通過離子布植植入氫原子且經高溫快速回火形成氫化的內層介電層；
形成金屬導線，其中所述金屬導線穿過所述氫化的內層介電層的上表面，且分別與所述源極及所述漏極接觸；以及
形成鈍化層，其中所述鈍化層覆蓋所述氫化的內層介電層。
7.如權利要求6所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，還包括形成畫素電極。
8.如權利要求6所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，還包括形成遮光層在所述基板與所述多晶硅層之間。
9.如權利要求6所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅層包括氧化硅及氮化硅。
10.如權利要求6所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，所述離子布植植入氫原子還能進一步植入氫原子到所述通道內。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
