[發明專利]用于CIS行業的正性厚膜光刻膠

有效

• 申請號: 201811451678.6
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109270793B
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 向文勝;張兵;趙建龍;朱坤;陸蘭
• 申請（專利權）人: 江蘇艾森半導體材料股份有限公司
• 主分類號: G03F7/039
• 分類號: G03F7/039
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本發明屬于半導體加工技術領域，涉及一種用于CIS行業的正性厚膜光刻膠，配方包括20?35wt％改性酚醛樹脂、3?5wt％光敏劑、100?500ppm的流平劑、1?3wt％疏松劑和余量的乳酸乙酯。本發明正性厚膜光刻膠涂布超過50um厚度時涂布均一性能夠控制在5％以下，剖面角度能達到87～90°的范圍，使分辨率保持較高水平。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，特別涉及一種用于CIS行業的正性厚膜光刻膠。

背景技術

正性光刻膠是一種圖形化轉移工具，光刻膠是一種由樹脂、感光化合物、添加劑、溶劑組成的組合物，它受紫外光曝光后，曝光區域和非曝光區域在堿性溶劑液中產生了明顯的差異，顯影液溶去可溶解的部分，得到所需圖形。

在半導體制造過程中，狹義的電子封裝是指半導體制造工藝的后工程(即“后道”)中的工序，廣義的封裝也包括了后工程和后續的電子組裝。而如今的先進封裝則難以區分前、后道和組裝的界限。先進封裝技術的部分策略是把前道晶圓制造技術應用到后道加工；包括晶圓級封裝、凸塊工藝、重布線層、扇出型晶圓級封裝以及硅通孔等。先進封裝不但直接影響著電路本身的電性能，而且在很大程度上決定著電子整機系統的小型化、多功能化、可靠性和成本。

觀察全球封測產業，隨著全球產業整合及競爭加劇，中國企業可選擇的并購目標大幅減少，使得2017年中國資本進行海外并購難度增加。因此，中國IC封測業者將發展焦點從藉由海外并購取得高端封裝技術及市占率，轉而著力在開發Fan-Out及SiP等先進封裝技術，并積極通過客戶認證向市場宣示自身技術來維持競爭力。封測廠商在高端封裝技術(Flip Chip、Bumping等)及先進封裝(Fan-In、Fan-Out、2.5D IC、SiP等)的產能持續開出，以及因企業并購帶來的營收認列帶動下，包含長電科技、天水華天、通富微電等廠商2017年的年營收多維持雙位數成長表現，表現優于全球IC封測產業水平。

現有市場端所用光刻膠多為AZ4620，25微米的膜厚條件下，其分辨率可以到達10um，涂布均一性在10％左右，滿足現有工藝條件沒有問題，隨著CIS的發展，對線條的要求越來越高，需要提高銅厚度，對于光刻膠的膜厚也要提高到40-50微米，同時分辨率要維持不變，對于圖形角度要求陡直，對現有光刻膠提出了更加苛刻的要求。目前光刻膠的難點在于在銅電鍍液的浸泡下，高膜厚的正性光刻膠要么發生剝落，要么發生膠型的坍塌，無法維持陡直的角度。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種用于CIS行業的正性厚膜光刻膠，使涂布厚度的均一性更高，且提升光刻膠剖面角度。

本發明通過如下技術方案實現上述目的：一種用于CIS行業的正性厚膜光刻膠，配方包括20-35wt％改性酚醛樹脂、3-5wt％光敏劑、100-500ppm的流平劑、1-3wt％疏松劑和余量的乳酸乙酯，所述改性酚醛樹脂具有如下結構，

分子量在8000～15000之間。

具體的，所述光敏劑為2,3,4-三羥基二苯甲酮-1,2-萘醌重氮-5-磺酸酯。

具體的，所述疏松劑為2,3,4-三羥基二苯甲酮。

具體的，所述流平劑為全氟烷基聚醚表面活性劑。

采用上述技術方案，本發明技術方案的有益效果是：

本發明正性厚膜光刻膠涂布超過50um厚度時涂布均一性能夠控制在5％以下，剖面角度能達到87～90°的范圍，使分辨率保持較高水平。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明作進一步詳細說明。

實施例1～4：

按照表1所示比例將原料混勻，其中改性酚醛樹脂為分子量在8000～15000之間的如下結構的酚醛樹脂，影響涂布和曝光性能。