[發(fā)明專利]半導(dǎo)體電容器及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811451448.X
• 申請(qǐng)日: 2018-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN111261615A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳秉桓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 于寶慶;崔香丹

1.一種半導(dǎo)體電容器，其特征在于，包括：

下電極；

第一介電層，形成于所述下電極表面；

第一上電極，形成于所述第一介電層表面；

至少一個(gè)晶須結(jié)構(gòu)，被所述下電極包覆。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器，其特征在于，所述晶須結(jié)構(gòu)為單晶硅、多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、氮化鈦和二氧化鈦中的一種或多種。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器，其特征在于，所述晶須結(jié)構(gòu)包括：

第二上電極；

包覆所述第二上電極的第二介電層；

其中，所述第一上電極和所述第二上電極材料相同，所述第一介電層和所述第二介電層材料相同。

4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體電容器，其特征在于，所述第一介電層在至少一個(gè)非晶須結(jié)構(gòu)位置的剖面上形成封閉圖形。

5.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體電容器，其特征在于，所述晶須結(jié)構(gòu)的形狀為直線形、弧線形、折線形和分叉形中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體電容器，其特征在于，所述晶須結(jié)構(gòu)的直徑為0.5-50nm。

7.一種半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟a.提供襯底，所述襯底表面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)形成有電容孔；

步驟b.在所述電容孔內(nèi)形成至少一個(gè)晶須凝核；

步驟c.基于所述晶須凝核，形成晶須結(jié)構(gòu)；

步驟d.在所述電容孔內(nèi)和所述晶須結(jié)構(gòu)表面形成下電極；

步驟e.在所述下電極表面形成第一介電層；

步驟f.在所述介電層表面形成第一上電極。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，在所述步驟e前還包括：

去除至少部分所述介質(zhì)層。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，在所述步驟e前還包括：

去除部分所述晶須結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟b為利用氣相沉積的方式在電容孔的內(nèi)壁上形成晶須凝核。

11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟a為利用濕法方式將晶須凝核以顆粒形式引入電容孔，附著于內(nèi)壁上。

12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟b為使用化學(xué)氣相沉積的方法基于所述晶須凝核形成所述晶須結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，所述晶須結(jié)構(gòu)沿直線或弧線或折線或分叉形狀生長(zhǎng)。

14.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電容器的制備方法，其特征在于，所述晶須結(jié)構(gòu)由單晶硅、多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、氮化鈦和二氧化鈦中的一種或多種形成。