[發(fā)明專利]剝離裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811451401.3
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN110010519B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 日野原和之
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供剝離裝置，能夠容易地以剝離層為起點(diǎn)將晶片從錠剝離，并且能夠?qū)冸x屑從所剝離的晶片的剝離面去除。剝離裝置(2)至少包含：保持單元(4)，其對錠(50)進(jìn)行保持；超聲波單元(6)，其對保持單元(4)所保持的錠(50)賦予超聲波而對剝離層(74)進(jìn)行刺激；以及剝離單元(10)，其具有對要生成的晶片進(jìn)行吸引保持的保持部(36)和從保持部(36)突出而圍繞著要生成的晶片的外周的環(huán)狀壁(38)。在環(huán)狀壁(38)的內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)噴射口(38a)，這些噴射口(38a)朝向從錠(50)剝離出的晶片(76)的剝離面(76a)噴射清洗水(W)而進(jìn)行清洗。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及剝離裝置，從形成有剝離層的錠剝離出要生成的晶片。

背景技術(shù)

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al₂O₃(藍(lán)寶石)等為原材料的晶片的正面上層疊功能層并由分割預(yù)定線劃分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以單晶SiC(碳化硅)為原材料的晶片的正面上層疊功能層并由分割預(yù)定線劃分而形成的。形成有器件的晶片通過切削裝置、激光加工裝置對分割預(yù)定線實(shí)施加工而分割成各個(gè)器件，分割得到的各器件被用于移動(dòng)電話或個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備。

供器件形成的晶片通常是利用劃片鋸將圓柱形狀的錠薄薄地切斷而生成的。切斷得到的晶片的正面和背面通過研磨而精加工成鏡面(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。但是，當(dāng)利用劃片鋸將錠切斷并對切斷得到的晶片的正面和背面進(jìn)行研磨時(shí)，錠的大部分(70％～80％)會(huì)被浪費(fèi)，存在不經(jīng)濟(jì)的問題。特別是單晶SiC錠，其硬度高，難以利用劃片鋸切斷，需要花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間，因此生產(chǎn)率差，并且錠的單價(jià)高，在高效地生成晶片方面具有課題。

因此，本申請人提出了下述技術(shù)：將對于單晶SiC具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)定位于單晶SiC錠的內(nèi)部而對單晶SiC錠照射激光光線，在切斷預(yù)定面形成剝離層，以剝離層為起點(diǎn)將晶片從單晶SiC錠剝離(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-94221號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2016-111143號(hào)公報(bào)

但是，存在如下的問題：以剝離層為起點(diǎn)將晶片從錠剝離較困難，生產(chǎn)效率差，并且會(huì)從所剝離的晶片的剝離面落下SiC分離成Si和C而得的剝離屑而產(chǎn)生污染物。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成，其課題在于提供剝離裝置，其能夠容易地以剝離層為起點(diǎn)將晶片從錠剝離，并且能夠?qū)冸x屑從所剝離的晶片的剝離面去除。

為了解決上述課題，本發(fā)明所提供的是以下的剝離裝置。即，一種剝離裝置，其從將對于錠具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)定位于距離錠的端面相當(dāng)于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光光線從而形成有剝離層的錠剝離出要生成的晶片，其中，該剝離裝置至少包含：保持單元，其對錠進(jìn)行保持；超聲波單元，其對該保持單元所保持的錠賦予超聲波而對該剝離層進(jìn)行刺激；以及剝離單元，其具有對要生成的晶片進(jìn)行吸引保持的保持部和從該保持部突出而圍繞著要生成的晶片的外周的環(huán)狀壁，在該環(huán)狀壁的內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)噴射口，這些噴射口朝向從錠剝離出的晶片的剝離面噴射清洗水而進(jìn)行清洗。