[發明專利]一種具有適宜孔隙率和抗壓強度硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法

在審

• 申請號: 201811450158.3
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109456077A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 陳善華;韓世虎;羅青松
• 申請（專利權）人: 成都理工大學
• 主分類號: C04B38/00
• 分類號: C04B38/00;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64
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1.一種具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，該方法以堿式碳酸鎂和硼酸為主要原料，氟化鎂為燒結助劑，聚乙烯醇為粘結劑，去離子水為溶劑，包括以下步驟：

①稱量；

②球磨混料；

③80 ℃干燥；

④壓制成型；

⑤110 ℃干燥；

⑥燒結。

2.根據權利要求1中所述的具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：采用的堿式碳酸鎂、硼酸按Mg：B摩爾比為1 : 1.1 ~1 : 1.5混料，氟化鎂含量為堿式碳酸鎂與硼酸總質量的1 % ~ 5 %，聚乙烯醇添加量為堿式碳酸鎂與硼酸總質量的5 %，去離子水含量為堿式碳酸鎂與硼酸總質量的55.56 %。

3.根據權利要求1中所述的具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：所述球磨混料過程中球磨機轉速不低于300 r/min，球磨時間為6 h~10 h。

4.根據權利要求1中所述的具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：所述80 ℃干燥過程中干燥時間為12 h ~ 15 h。

5.根據權利要求1中所述的具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：所述壓制成型過程中混料質量為15 g ~ 20 g，壓力強度為100MPa，成型直徑和高度均為22 mm。

6.根據權利要求1中所述的具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：所述110 ℃干燥過程中干燥時間為6 h ~ 10 h。

7.根據權利要求1中所述的具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：所述的燒結過程是將干燥后的坯體置于坩堝后放入程序可控的高溫箱式電阻爐中，首先以1℃ ~ 5 ℃/min的速率從室溫升至600 ℃，保溫1 h ~ 3 h，隨后以5 ℃/min的速率升至900 ℃并保溫2 h，最后隨爐冷卻。

8.一種具有適宜孔隙率和抗壓強度的硼酸鎂晶須陶瓷膜支撐體的制備方法，其特征在于：該高抗壓強度硼酸鎂晶須多孔陶瓷膜支撐體是采用專利要求1 ~ 7任一權利要求所述的方法制備的。