[發明專利]一種梯度高硅鋼的制備工藝

在審

• 申請號: 201811448538.3
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109280891A
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 鐘慶東
• 申請（專利權）人: 湖南上臨新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C22C33/04;C22C38/02
• 代理公司: 岳陽市大正專利事務所 43103
• 代理人: 皮維華

1.一種梯度高硅鋼的制備工藝，其特征在于包括如下步驟：

原料準備：原料準備：3.5wt%的99.95%純度金屬硅，93.5~94wt%的99.5%純鐵，2.5~3wt%的微量合金元素，其中微量合金元素為錳、鈮、釩等微量合金元素；

冶煉：50kg高頻真空感應加熱爐，將微量合金元素，99.95%純度金屬硅和純鐵按照比例放入50Kg高頻真空感應加熱爐中，抽真空后開始加熱，澆鑄成FeSi合金錠，然后加工成陰極靶材，備用；

多弧離子鍍膜技術：采用LZD1300電弧離子鍍膜設備，4G陰極電弧和磁控濺射；基體材料為上述陰極靶材，將上述陰極靶材放置于體積分數10%的HCL溶液中進行除銹，再置于無水乙醇中超聲清洗10min，吹干，放入鍍膜室；抽真空后，通入99.99%氬氣作為濺射氣體進行陰極離子鍍，在強磁場下，陰極電弧放電在靶材表面附近產生的等離子體，會被推向鍍膜區域；磁控濺鍍過程中Ar壓力維持在5Pa左右，磁控濺射沉積時間為1.5~2h，使表層硅含量達到6.5wt%左右；

退火：在550℃，真空環境下退火0.5~2h；

涂層：噴涂磷酸鹽與鉻酸鹽的絕緣膜；

檢查：SSTY-1500型單片硅鋼磁導計進行磁性能檢測。

2.根據權利要求1所述的一種梯度高硅鋼的制備工藝，其特征在：步驟d中真空環境為體積分數比3:7為H2+N2真空。