[發(fā)明專利]一種轉(zhuǎn)移件、轉(zhuǎn)移方法以及轉(zhuǎn)移件的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811447681.0 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN111243980B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 程衛(wèi)高;任雅磊 | 申請(專利權(quán))人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務(wù)所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 611731 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 轉(zhuǎn)移 方法 以及 制備 | ||
1.一種轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述轉(zhuǎn)移件包括:
基板;
至少一個容納框,設(shè)置在所述基板上,且每個所述容納框內(nèi)分別設(shè)置有容置結(jié)構(gòu)以容納一個對應(yīng)的電子器件;
其中,所述容納框中的所述容置結(jié)構(gòu)處于第一狀態(tài)以使所述電子器件固定在所述容納框內(nèi);所述容納框的所述容置結(jié)構(gòu)處于第二狀態(tài)以釋放所述電子器件;
所述容置結(jié)構(gòu)包括:
變形體;
彈性阻擋膜,設(shè)置在所述容納框的內(nèi)壁上,且所述彈性阻擋膜與所述基板之間形成容納所述變形體的腔體;
其中,所述彈性阻擋膜形變以將所述電子器件包裹在其內(nèi);所述變形體處于第一狀態(tài)從而將所述電子器件固定在所述容納框內(nèi),所述變形體處于第二狀態(tài)從而釋放所述電子器件;
所述轉(zhuǎn)移件還包括加熱件,用于產(chǎn)生熱量,對所述變形體進(jìn)行加熱,以使所述變形體處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述變形體為液體,降溫固化處于第一狀態(tài),加熱解除固化處于第二狀態(tài);
或者,所述變形體為熱膨脹材料,加熱膨脹處于第一狀態(tài),降溫收縮處于第二狀態(tài);
或者,所述變形體為過飽和溶液,在外力作用下結(jié)晶固化處于第一狀態(tài),加熱解除結(jié)晶固化處于第二狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述基板上設(shè)置有至少一個通孔,所述至少一個通孔分別對應(yīng)所述至少一個容納框;
所述轉(zhuǎn)移件包括至少一個加熱件,其分別設(shè)置在所述至少一個通孔內(nèi);所述加熱件用于產(chǎn)生熱量,以使所述變形體處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述加熱件填充所述通孔,所述通孔連通所述容納框。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述轉(zhuǎn)移件包括至少一個過渡腔體,分別對應(yīng)所述至少一個容納框,位于所述基板和所述容納框之間;所述過渡腔體與所述容納框連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述彈性阻擋膜表面具有粘性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移件,其特征在于,所述電子器件為微型發(fā)光二極管。
8.一種轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述轉(zhuǎn)移方法包括:
對位轉(zhuǎn)移件與電子器件,其中,所述轉(zhuǎn)移件包括至少一個容納框,每個所述容納框分別對位一個對應(yīng)的所述電子器件;
移動所述轉(zhuǎn)移件以使所述電子器件容納至所述容納框內(nèi),并使所述容納框內(nèi)的容置結(jié)構(gòu)處于第一狀態(tài)以使所述電子器件固定在所述容納框內(nèi);
將容納了所述電子器件的所述轉(zhuǎn)移件放置在目標(biāo)基板上,并將所述容納框的所述容置結(jié)構(gòu)處于第二狀態(tài)以釋放所述電子器件,從而將所述電子器件放置在目標(biāo)基板上;
其中,所述容置結(jié)構(gòu)包括:
變形體;
彈性阻擋膜,設(shè)置在所述容納框的內(nèi)壁上,且所述彈性阻擋膜與所述基板之間形成容納所述變形體的腔體;
其中,所述彈性阻擋膜形變以將所述電子器件包裹在其內(nèi);所述變形體處于第一狀態(tài)從而將所述電子器件固定在所述容納框內(nèi),所述變形體處于第二狀態(tài)從而釋放所述電子器件;
所述轉(zhuǎn)移件還包括加熱件,用于產(chǎn)生熱量,對所述變形體進(jìn)行加熱,以使所述變形體處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)。
9.一種轉(zhuǎn)移件的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
在第一基板上沉積容納框框體材料;
圖形化所述容納框框體材料以形成至少一個容納框框體,其中,每個所述容納框框體包括與所述第一基板相接觸的底部、連接所述底部的第一側(cè)部和第二側(cè)部,所述底部、所述第一側(cè)部和所述第二側(cè)部構(gòu)成一個具有開口的容納框;
在腔體內(nèi)注入彈性阻擋膜材料;
通過模具擠壓加熱所述彈性阻擋膜材料以形成貼覆在所述容納框框體上的彈性阻擋膜;
移除所述模具,并在移除所述模具后的結(jié)構(gòu)上覆蓋第二基板以封住所述容納框的開口,其中,所述第二基板用作所述轉(zhuǎn)移件的基板;
移除所述第一基板,以暴露出所述容納框的底部;
在所述第二基板對應(yīng)所述容納框的區(qū)域內(nèi)開設(shè)對應(yīng)的通孔;
通過所述通孔向所述容納框內(nèi)注入變形體;
在所述通孔內(nèi)填充加熱件以封住所述通孔;
蝕刻掉所述容納框的底部從而暴露出與所述底部相對應(yīng)的所述彈性阻擋膜,以形成所述轉(zhuǎn)移件。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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