[發明專利]一種功能化寬幅植入式微電極陣列及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 201811447629.5 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN109350846A | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 杜學敏;王娟 | 申請（專利權）人： | 深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | A61N1/05 | 分類號： | A61N1/05;C09D4/00;C09D105/04;C09D105/08;C09D167/04;C08G63/06;C08G63/78 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功能化 寬幅 微電極陣列 植入式微電極 微電極 制備 功能層 絕緣層 高分子材料層 高分子復合物 單分子層 相關參數 依次設置 有效調節 導電層 基底層 良品率 微加工 卷曲 折疊 微創 位點 植入 應用 | ||
1.一種功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，該功能化寬幅微電極陣列包括依次設置的功能層、基底層、導電層、絕緣層；
其中，所述功能層為單分子層、高分子材料層和/或高分子復合物層，厚度為1nm-1000μm。
2.根據權利要求1所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，該功能化寬幅微電極陣列中的刺激通道的數量為60-2400。
3.根據權利要求1所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，該功能化寬幅微電極陣列由刺激端、引線部分和焊盤端組成。
4.根據權利要求3所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，所述刺激端的尺寸為0.1cm-1.5cm；
優選地，所述刺激端包括多個刺激位點，每一個刺激位點對應一個刺激通道，單個刺激位點的尺寸為50nm-5mm，相鄰刺激位點的間距為20μm-1mm；
優選地，所述刺激端的形狀為長方形、正方形、圓形或不規則幾何形狀。
5.根據權利要求3或4所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，所述引線部分為長方形；
優選地，所述長方形的長為1cm-15cm，寬為0.2cm-2cm；
優選地，所述引線部分包括多條引線，相鄰引線的間距為1μm-1mm。
6.根據權利要求3-5任一項所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，所述焊盤端的尺寸為0.5-20cm；
優選地，所述焊盤端包括多個焊盤，單個焊盤的尺寸為0.2mm-5mm，相鄰焊盤的間距為20μm-1mm；
優選地，所述焊盤端的形狀為長方形、正方形、圓形或不規則幾何形狀；更優選地，當所述焊盤端的形狀為長方形時，其長為0.5mm-20cm，寬為0.3mm-5cm；當所述焊盤端的形狀為正方形時，其邊長為0.5mm-20cm；當焊盤端的形狀為圓形時，其直徑為0.5mm-20cm。
7.根據權利要求1-6任一項所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，所述基底層的厚度為3μm-80μm；優選地，所述基底層的材料為聚酰亞胺、聚對二甲苯、聚二甲基硅氧烷、醫用硅膠、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乳酸、聚己內酯及其衍生物中的一種或幾種的組合。
8.根據權利要求1-7任一項所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，所述導電層的厚度為20nm-10μm；優選地，所述導電層的材料為鎂、金、鉑、鉑銥合金、鎵銦合金、鎵銦錫合金中的一種或幾種的組合。
9.根據權利要求1-8任一項所述的功能化寬幅微電極陣列，其特征在于，所述功能層為單分子層，該單分子層包括對基底層表面進行烷烴、硅烷烴或氟烷烴處理形成的單分子微納結構層。
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