[發明專利]存儲器控制器、其讀取控制方法及其編程控制方法

在審

• 申請號: 201811446549.8
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN110033808A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 李庚德;沈榮燮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/26
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

一種用于控制存儲器裝置的存儲器控制器的讀取控制方法，所述存儲器裝置包括分別連接到多條字線的多個存儲器頁面，所述讀取控制方法包括：對所述多個存儲器頁面中已經歷暫停操作的所選擇存儲器頁面進行識別，所述所選擇存儲器頁面連接到所選擇字線；根據對所述所選擇存儲器頁面進行識別的結果，基于與所述所選擇存儲器頁面相關聯的暫停操作信息來確定所述所選擇存儲器頁面的讀取偏移電平；以及基于與所確定出的所述讀取偏移電平相關聯的讀取電壓來控制所述存儲器裝置的讀取操作。也提供一種存儲器控制器及其編程控制方法。

[相關申請的交叉參考]

本申請主張在2017年12月1日在韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請第10-2017-0164336號的優先權，所述韓國專利申請的公開內容全文并入本申請供參考。

技術領域

本發明概念涉及一種存儲器控制器，且更具體來說，涉及一種存儲器控制器的控制方法。

背景技術

半導體存儲器裝置可被分類成當不被供電時會丟失所存儲的數據的易失性存儲器裝置以及當不被供電時不會丟失所存儲的數據的非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置具有高讀取及寫入速度，但在不向其供應外部電力時，存儲在其中的內容會消失。另一方面，非易失性存儲器裝置具有比非易失性存儲器裝置低的讀取速度及寫入速度，但即使當不向其供應外部電力時，存儲在其中的內容也會得到維持。

舉例來說，在例如閃存存儲器裝置(flash memory device)等非易失性存儲器裝置中，當存儲在一個存儲單元中的數據位的數目增加時，可能需要更精細地形成存儲器裝置中所包括的存儲單元的閾值電壓分布。當閾值電壓分布比所預測的閾值電壓分布更寬地形成或者形成在并行轉譯之后的位置處時，可能會出現讀取誤差。可能需要提供當存儲單元的閾值電壓分布發生改變時實行高度可靠的數據讀取操作的方法。

發明內容

在存儲器控制器及所述存儲器控制器的控制方法中，本發明概念提供一種用于提高對在編程操作期間已經歷暫停操作的存儲器頁面進行的讀取操作的可靠性的方法及裝置。

根據本發明概念的一些實施例，提供一種用于控制存儲器裝置的存儲器控制器的讀取控制方法，所述存儲器裝置包括分別連接到多條字線的多個存儲器頁面，所述讀取控制方法包括：對已經歷暫停操作的所選擇存儲器頁面進行識別，所述所選擇存儲器頁面連接到所述多條字線中的所選擇字線；根據對所述所選擇存儲器頁面進行識別的結果，基于與所述所選擇存儲器頁面相關聯的暫停操作信息來確定所述所選擇存儲器頁面的讀取偏移電平；以及基于與所確定出的所述讀取偏移電平相關聯的讀取電壓來控制所述存儲器裝置的讀取操作。

根據本發明概念的一些實施例，提供一種用于控制存儲器裝置的存儲器控制器的編程控制方法，所述存儲器裝置包括分別連接到多條字線的多個存儲器頁面，所述編程控制方法包括：在對所述多個存儲器頁面中連接到所述存儲器裝置的所述多條字線中的所選擇字線的所選擇存儲器頁面進行的編程操作期間，從外部主機接收具有較高優先權的數據操作的請求；以及響應于所述接收具有所述較高優先權的所述數據操作的所述請求，向所述存儲器裝置傳送暫停命令；響應于所述傳送所述暫停命令，從所述存儲器裝置接收指示所述編程操作已被暫停的信號；向所述存儲器裝置傳送與具有所述較高優先權的數據操作的所述請求對應的命令；在完成以所述較高優先權進行的所述數據操作后，向所述存儲器裝置傳送恢復命令，以使所述存儲器裝置恢復所述編程操作；以及存儲暫停標志信息及所述所選擇存儲器頁面的暫停操作信息，所述暫停標志信息指示所述所選擇存儲器頁面已經歷暫停操作。