[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811445444.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111244307B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王勁;曹蔚然;錢磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，包括層疊設(shè)置的基板、電極層、量子點(diǎn)發(fā)光層以及耦合層，所述耦合層的材料為導(dǎo)電材料分散在膠黏劑中形成的導(dǎo)電膠漿，其中，所述耦合層同時(shí)作為封裝層和電極層，所述耦合層的厚度為3-10μm，所述導(dǎo)電材料為包括納米金屬顆粒和n型半導(dǎo)體納米材料的第一混合物，或包括納米金屬顆粒和p型半導(dǎo)體納米材料的第二混合物，所述膠黏劑為光固化型膠水、熱固化型膠水和厭氧固化型膠水中的一種或多種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層與耦合層之間設(shè)置有電子功能層或空穴功能層中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述n型半導(dǎo)體納米材料為ZnO、TiO₂、SnO、CsF、LiF、FeF₂、MgO和Alq₃中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體納米材料為NiO和MoO₃中的一種或兩種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述納米金屬顆粒為Ag、Al、Cu、Au和Ca中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述導(dǎo)電膠漿中，導(dǎo)電材料與膠黏劑的重量比為0.01-10:1。

7.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板以及一種由導(dǎo)電材料分散在膠黏劑中形成的導(dǎo)電膠漿，其中，所述導(dǎo)電材料為納米金屬顆粒和n型半導(dǎo)體納米材料組成的第一混合物，或納米金屬顆粒和p型半導(dǎo)體納米材料組成的第二混合物，所述膠黏劑為光固化型膠水、熱固化型膠水和厭氧固化型膠水中的一種或多種；

在所述基板上沉積電極層；

在所述電極層表面沉積量子點(diǎn)發(fā)光層；

在所述量子點(diǎn)發(fā)光層表面沉積所述導(dǎo)電膠漿形成耦合層，將所述耦合層進(jìn)行固化制得量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述耦合層同時(shí)作為封裝層和電極層，所述耦合層的厚度為3-10μm。