[發明專利]發光器件、顯示裝置及顯示裝置的制造方法和發電裝置在審
| 申請號: | 201811444540.3 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN111244303A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 曹蔚然;錢磊 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 顯示裝置 制造 方法 發電 裝置 | ||
1.一種發光器件,其特征在于,包括光源、襯底、核心功能單元,所述襯底設置在所述光源和核心功能單元之間,所述核心功能單元包括陽極、核心功能層、陰極,所述核心功能層設置在所述陽極和陰極之間,所述核心功能層的材料由納米顆粒和半導體材料混合而成。
2.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述納米顆粒為量子點或者納米棒或者納米片;
所述半導體材料為無機半導體材料、有機半導體材料、有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體材料中的至少一種。
3.如權利要求2所述的發光器件,其特征在于,所述納米顆粒的材料為II-VI族納米晶、II-V族納米晶、III-VI族納米晶、III-V族納米晶、IV-VI族納米晶、I-III-VI組納米晶、II-IV-VI族納米晶、IV族納米晶中的至少一種。
4.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述發光器件還包括第一傳輸層,所述第一傳輸層設置于所述陽極和核心功能層之間。
5.如權利要求4所述的發光器件,其特征在于,所述第一傳輸層與所述陽極之間還包括第一輔助功能層。
6.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述襯底為透明襯底;所述陰極和陽極均為透明電極。
7.如權利要求4所述的發光器件,其特征在于,所述第一傳輸層的材料選自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-雙-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺、NiOx、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2中的至少一種。
8.如權利要求5所述的發光器件,其特征在于,所述第一輔助功能層的材料選自聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)、MoOx、WOx、CrOx、CuO、CuS中的一種或多種。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括多個重復排列的像素單元;所述像素單元包括權利要求1-8任一項所述的發光器件,所述發光器件共用同一所述襯底,所述光源均位于所述襯底同一側。
10.如權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述像素單元包括紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍色子像素單元;所述紅色子像素單元為紅色發光器件,所述綠色子像素單元為綠色發光器件,所述藍色子像素單元為藍色發光器件。
11.如權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,顯示裝置還包括設置于襯底上的像素界定層,所述像素界定層位于相鄰的所述核心功能單元之間。
12.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供襯底;
在所述襯底的一表面上形成像素界定層和第一電極,由所述像素界定層圍合成若干像素槽,所述第一電極設于所述像素槽中;
在所述像素槽中的第一電極上形成核心功能層;
在所述核心功能層上形成第二電極;
在所述襯底背對所述核心功能層的一側設置光源;
其中,所述第一電極為陽極,所述第二電極為陰極,或者所述第一電極為陰極,所述第二電極為陽極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





