[發(fā)明專利]一種壓力傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811444314.5 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN109341907A | 公開（公告）日： | 2019-02-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 繆建民;曹峰 | 申請（專利權）人： | 華景傳感科技(無錫)有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/18 | 分類號： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓力傳感器 壓力傳感芯片 第二表面 第一表面 陶瓷基 高穩(wěn)定性 相對設置 抗腐蝕 耐高溫 粘結層 背腔 貼附 | ||
1.一種壓力傳感器，其特征在于，包括：
陶瓷基底和硅壓力傳感芯片；
所述陶瓷基底包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面設置有凹槽作為壓力背腔，所述壓力傳感芯片通過粘結層貼附于所述第二表面與所述凹槽對應的區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述粘結層為玻璃膠。
3.根據(jù)權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述硅壓力傳感芯片設置于所述凹槽的邊緣區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述硅壓力傳感芯片設置于凹槽的中心位置。
5.根據(jù)權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述陶瓷基底設置有所述凹槽的區(qū)域的厚度為0.1毫米-0.5毫米。
6.根據(jù)權利要求5所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述凹槽的形狀為圓柱形，所述凹槽的直徑為5毫米-10毫米。
7.根據(jù)權利要求6所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述硅壓力傳感芯片為正方形，所述硅壓力傳感芯片的邊長為1毫米-2毫米。
8.根據(jù)權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述硅壓力傳感芯片包括依次層疊設置的硅基底、絕緣層、壓感電阻層以及保護層；
還包括與所述壓感電阻層電連接的金屬電極，所述保護層覆蓋所述壓感電阻層且裸露出所述金屬電極。
9.根據(jù)權利要求8所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述絕緣層為氧化硅層，所述壓感電阻層為硅電阻層，所述保護層為氧化硅層或氮化硅層。
10.根據(jù)權利要求9所述的壓力傳感器，其特征在于：
所述硅基底的厚度為30微米-50微米；
所述絕緣層的厚度為0.1微米-2微米；
所述壓感電阻層的厚度0.5微米-3微米；
所述保護層的厚度為0.1微米-2微米。
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