[發(fā)明專利]陣列基板、包括其的數(shù)字X射線檢測器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811444296.0
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN110021615B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅炯壹;金廷俊;李漢錫
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市集佳律師事務(wù)所 16095
• 代理人: 唐明英

1.一種用于數(shù)字X射線檢測器的陣列基板，所述陣列基板包括：

基底基板；

設(shè)置在所述基底基板上方的有源層，所述有源層被配置成包括溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)，其中，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)分別形成在所述溝道區(qū)的一側(cè)和另一側(cè)；

設(shè)置在所述有源層上方的與所述溝道區(qū)對應(yīng)的柵極絕緣層；

設(shè)置在所述柵極絕緣層上方的柵電極；

設(shè)置在所述柵電極和漏極區(qū)上方的層間絕緣層，所述層間絕緣層被配置成包括與所述漏極區(qū)對應(yīng)的接觸孔；

設(shè)置在所述層間絕緣層上方的漏電極，并且所述漏電極通過所述接觸孔連接至所述有源層；以及

PIN二極管，其中堆疊有下電極、PIN層和上電極，所述PIN二極管被配置成與所述有源層的所述源極區(qū)表面接觸，

其中，所述有源層的所述源極區(qū)與所述下電極的整個區(qū)域表面接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述下電極設(shè)置在所述有源層的所述源極區(qū)上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，對應(yīng)于所述PIN層的所述下電極被平坦化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層的所述源極區(qū)在尺寸上大于所述漏極區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括：

設(shè)置在所述上電極上方的偏置電極，使得所述偏置電極連接至所述上電極，

其中，所述偏置電極被設(shè)置成不與所述溝道區(qū)交疊。

6.一種用于數(shù)字X射線檢測器的陣列基板，所述陣列基板包括：

基底基板；

設(shè)置在所述基底基板上方的有源層，所述有源層被配置成包括溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)，其中，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)分別形成在所述溝道區(qū)的一側(cè)和另一側(cè)；

設(shè)置在所述有源層上方的與所述溝道區(qū)對應(yīng)的柵極絕緣層；

設(shè)置在所述柵極絕緣層上方的柵電極；

設(shè)置在所述柵電極和漏極區(qū)上方的層間絕緣層，所述層間絕緣層被配置成包括與所述漏極區(qū)對應(yīng)的接觸孔；

設(shè)置在所述層間絕緣層上方的漏電極，并且所述漏電極通過所述接觸孔連接至所述有源層；以及

PIN二極管，其中堆疊有下電極、PIN層和上電極，所述PIN二極管被配置成與所述有源層的所述源極區(qū)表面接觸

其中，所述有源層的所述源極區(qū)與所述下電極的一些區(qū)域表面接觸，以及

其中，所述下電極的不與所述有源層的所述源極區(qū)表面接觸的剩余區(qū)域與所述有源層設(shè)置在同一層上。

7.一種數(shù)字X射線檢測器，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的用于所述數(shù)字X射線檢測器的陣列基板；以及

被設(shè)置在所述陣列基板上方的閃爍體。

8.一種用于制造用于數(shù)字X射線檢測器的陣列基板的方法，所述方法包括：

在基底基板上方形成有源層，所述有源層不僅包括溝道區(qū)，而且包括分別形成在所述溝道區(qū)的一側(cè)和另一側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)，以及在所述有源層上方形成與所述溝道區(qū)對應(yīng)的柵極絕緣層和柵電極；

形成層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述柵電極和所述漏極區(qū)并且包括與所述漏極區(qū)對應(yīng)的第一接觸孔；

在所述層間絕緣層上方形成漏電極，以及在所述源極區(qū)上方形成下電極，使得所述下電極與所述有源層的源極區(qū)表面接觸，所述漏電極通過所述第一接觸孔連接至所述漏極區(qū)；

形成包括在所述下電極上方的PIN層和上電極的PIN二極管；以及

在所述PIN二極管上方形成具有第二接觸孔的保護層，以及在所述保護層上方形成通過所述第二接觸孔連接至所述上電極的偏置電極，

其中，在所述有源層的所述源極區(qū)上方形成所述下電極的整個區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，通過相同的圖案化工藝形成所述漏電極和所述下電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述有源層的所述源極區(qū)在尺寸上大于所述漏極區(qū)。

11.一種用于制造用于數(shù)字X射線檢測器的陣列基板的方法，所述方法包括：

在基底基板上方形成有源層，所述有源層不僅包括溝道區(qū)，而且包括分別形成在所述溝道區(qū)的一側(cè)和另一側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)，以及在所述有源層上方形成與所述溝道區(qū)對應(yīng)的柵極絕緣層和柵電極；

形成層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述柵電極和所述漏極區(qū)并且包括與所述漏極區(qū)對應(yīng)的第一接觸孔；

在所述層間絕緣層上方形成漏電極，以及在所述源極區(qū)上方形成下電極，使得所述下電極與所述有源層的源極區(qū)表面接觸，所述漏電極通過所述第一接觸孔連接至所述漏極區(qū)；

形成包括在所述下電極上方的PIN層和上電極的PIN二極管；以及

在所述PIN二極管上方形成具有第二接觸孔的保護層，以及在所述保護層上方形成通過所述第二接觸孔連接至所述上電極的偏置電極，

其中，在所述有源層的所述源極區(qū)上方形成所述下電極的一些區(qū)域；以及

所述下電極的剩余區(qū)域與所述有源層形成在同一層上。