[發明專利]一種減少氚排放的次級中子源棒

在審

• 申請號: 201811444024.0
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109473190A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 黨宇;盧俊強;付亞茹;鄭軼雄;毛蘭方;崔嚴光;徐時吟;孫靖雅
• 申請（專利權）人: 上海核工程研究設計院有限公司
• 主分類號: G21C19/02
• 分類號: G21C19/02;G21C19/22;G21G4/02
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司 31253
• 代理人: 馮子玲

1.一種減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，在所述次級中子源棒的包殼管上涂覆阻氚涂層或在所述次級中子源棒的包殼管內放置鍍鎳吸氚材料或在所述次級中子源棒內使用鋯合金內層包殼管，或上述方案組合使用。

2.如權利要求1所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述次級中子源棒為單層包殼次級中子源棒,由所述包殼管包覆次級中子源材料組成，所述包殼管的兩端通過第一端塞和第二端塞密封,在所述包殼管上涂覆所述阻氚涂層。

3.如權利要求1所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述次級中子源棒為雙層包殼次級中子源棒,所述包殼管包括內包殼和外包殼,由所述內包殼包覆次級中子源材料，兩端通過第三端塞和第四端塞密封，外部再包覆一層所述外包殼，所述外包殼兩端通過第一端塞和第二端塞密封,在所述內包殼上涂覆所述阻氚涂層。

4.如權利要求3和4所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述阻氚涂層材料為Cr₂O₃、Al₂O₃、ZrO₂、SiC或其他具有阻氚性能的材料。

5.如權利要求1所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述次級中子源棒為雙層包殼次級中子源棒,所述包殼管包括內包殼和外包殼,由所述內包殼包覆次級中子源材料，兩端通過第三端塞和第四端塞密封，外部再包覆一層所述外包殼，所述外包殼兩端通過第一端塞和第二端塞密封,所述內包殼材料為鋯合金,所述外包殼材料為不銹鋼。

6.如權利要求1所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述次級中子源棒為單層包殼次級中子源棒,由所述包殼管包覆次級中子源材料組成，所述包殼管的兩端通過第一端塞和第二端塞密封,在所述包殼管內放置所述鍍鎳吸氚材料,所述鍍鎳吸氚材料可放置在所述次級中子源材料的上方或下方。

7.如權利要求1所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述次級中子源棒為雙層包殼次級中子源棒,所述包殼管包括內包殼和外包殼,由所述內包殼包覆次級中子源材料，兩端通過第三端塞和第四端塞密封，外部再包覆一層所述外包殼，所述外包殼兩端通過第一端塞和第二端塞密封,在所述外包殼或內包殼管內放置所述鍍鎳吸氚材料。

8.如權利要求7所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述鍍鎳吸氚材料可設置于所述外包殼與所述內包殼之間，位于所述內包殼上方或下方。

9.如權利要求7所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述鍍鎳吸氚材料可設置于所述內包殼內，位于所述次級中子源材料上方或下方。

10.如權利要求7所述的減少氚排放的次級中子源棒，其特征在于，所述鍍鎳吸氚材料的基體為鋯合金，表面鍍鎳，鍍鎳層厚度為5～20μm。