[發明專利]外延層結構及制備方法、剝離方法、太陽能電池制備方法

在審

• 申請號: 201811444002.4
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111244224A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 張新勇
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0304
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種外延層結構制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次形成第一犧牲層、吸光層、第二犧牲層和外延功能層；

其中，所述吸光層用于在具有預設波長的光源的照射下吸熱并將熱量傳導至所述第一犧牲層、所述第二犧牲層。

2.根據權利要求1所述的外延層結構制備方法，其特征在于，所述吸光層的材料為In_xGa_1-xAs，其中，x的取值范圍為0.1～1。

3.根據權利要求2所述的外延層結構制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層與所述第二犧牲層的材料為Al_xGa_1-xAs，其中，x的取值范圍為0.5～1。

4.根據權利要求1所述的外延層結構制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層與所述第二犧牲層的厚度之和的范圍為20nm～100nm。

5.一種外延層結構，其特征在于，包括：依次疊置的襯底、第一犧牲層、吸光層、第二犧牲層以及外延功能層；其中，

所述吸光層用于在具有預設波長的光源的照射下吸熱并將熱量傳導至所述第一犧牲層、所述第二犧牲層。

6.一種外延層結構剝離方法，其特征在于，包括：

將外延層結構浸入腐蝕液中，并且，向所述襯底背離所述外延功能層的一側以具有預設波長的光源進行照射，通過調節光照強度，以調節所述第一犧牲層、所述第二犧牲層的腐蝕速度；其中，所述外延層結構為權利要求5所述的外延層結構。

7.根據權利要求8所述的外延層結構剝離方法，其特征在于，在所述將外延層結構浸入腐蝕液中的步驟之前，還包括：

依次形成背電極和柔性載體。

8.根據權利要求6所述的外延層結構剝離方法，其特征在于，所述預設波長的波長范圍為900nm～1240/Eg_吸光層，其中，Eg_吸光層為所述吸光層的禁帶寬度。

9.根據權利要求6所述的外延層結構剝離方法，其特征在于，所述腐蝕液為氫氟溶液。

10.一種太陽能電池制備方法，其特征在于，包括如權利要求6-9中任一所述的外延層結構剝離方法。