[發(fā)明專利]MIL-100(Fe)/TiO2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811443736.0 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN109402661B | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 白紅葉;崔偉成;范偉強;白亞杰;高楊;孫東甜;劉穎 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號: | C25B11/04 | 分類號: | C25B11/04;C25B1/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | mil 100 fe tio base sub | ||
1.一種MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
A.將濃鹽酸和去離子水混合,在攪拌過程中逐滴加入鈦源攪拌至澄清,其中,所述濃鹽酸、去離子水與鈦源的體積比為15:15:0.1~1;
B.將溶液轉(zhuǎn)移至聚四氟乙烯內(nèi)襯的反應(yīng)釜中,放入清洗過的FTO基片并使FTO的導(dǎo)電面浸泡在溶液中,升溫至120~180℃恒溫2~12h,自然冷卻至室溫,取出,用去離子水清洗、干燥,得到生長TiO2納米棒陣列的FTO基片;
C.將乙酸和乙醇混合,在攪拌過程中逐滴加入鈦源并攪拌至澄清,將生長TiO2納米棒陣列的FTO基片浸泡在溶液中0.5~2h,其中,所述乙酸、乙醇和鈦源的體積比為1:50:0.5~1;
D.干燥步驟C所得FTO基片,放入馬弗爐中以2℃/min的升溫速率升溫至350~500℃恒溫1~5h,得到TiO2納米棒陣列的FTO基片;
E.配制0.1 M FeSO4溶液,通入N2排除溶解的氧氣,將FeSO4溶液作為電解液外加相對于Ag/AgCl偏壓1.2 V,電沉積1 min,得長在FTO基片上的FeOOH/TiO2復(fù)合光電極;
F.在50 mL乙醇中配制0.1 M均苯三甲酸溶液,移至聚四氟乙烯內(nèi)襯的反應(yīng)釜中,放入長在FTO基片上的FeOOH/TiO2復(fù)合光電極,升溫至90~180℃恒溫6~24h,自然冷卻至室溫,取出FTO基片,用去離子水清洗、干燥,得到MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:所述鈦源為鈦酸正丁酯或者鈦酸異丙酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:步驟A所述濃鹽酸的濃度為37.5wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:步驟A所述濃鹽酸、去離子水與鈦源的體積比為15:15:0.7。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:步驟B所述放入清洗過的FTO基片并使FTO的導(dǎo)電面浸泡在溶液中,升溫至180℃保持6h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:步驟C所述乙酸、乙醇和鈦源的體積比為1:50:0.75。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:步驟D所述放入馬弗爐中以2℃/min的升溫速率升溫至450℃恒溫2 h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的制備方法,其特征在于:步驟F所述放入長在FTO基片上的FeOOH/TiO2復(fù)合光電極,升溫至120℃保持24 h。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述方法制得的MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極。
10.一種權(quán)利要求9所述MIL-100(Fe)/TiO2復(fù)合光電極的應(yīng)用,其特征在于:將其作為工作電極應(yīng)用于光電化學(xué)分解水反應(yīng)。
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