[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811442965.0
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN110767454B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設計）人: 權(quán)亨純;車炅津;趙志弘
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/224
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;劉奕晴

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，所述陶瓷主體包括有效部和設置在所述有效部的側(cè)表面上的邊緣部，所述有效部包括介電層以及第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極被布置為在堆疊方向上彼此面對并且所述介電層介于所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間；以及

第一外電極和第二外電極，所述第一外電極設置在所述陶瓷主體的外表面上并且電連接到所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極設置在所述陶瓷主體的外表面上并且電連接到所述第二內(nèi)電極，

其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小，

其中，相對于包括在所述邊緣部中的100摩爾的鈦，所述邊緣部包括具有大于0摩爾且小于等于1.0摩爾的含量的鎂，

其中，所述邊緣部中的每個包括與所述陶瓷主體的外表面相鄰的第一區(qū)域和與所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極相鄰的第二區(qū)域，并且包括在所述邊緣部的所述第一區(qū)域中的鎂的含量大于包括在所述第二區(qū)域中的鎂的含量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括含有鋇和鈦的主組分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括第三副組分，所述第三副組分包括包含Si的氧化物或碳酸鹽或者包含Si的玻璃復合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極中的每個的厚度為0.4μm或更小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括含有Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種的第一副組分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括含有Ba和Ca中的至少一種的第二副組分。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括第三副組分，所述第三副組分包括包含Si的氧化物或碳酸鹽或者包含Si的玻璃復合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括含有Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Tb、Yb和Pr中的至少一種的第四副組分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部中的所述介電層和所述邊緣部包括含有鎂或鋁的第五副組分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極中的每個的厚度為0.4μm或更小。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷主體還包括設置在所述有效部的在所述堆疊方向上的上表面和下表面上的覆蓋部，并且所述有效部的所述介電層中的鎂的含量與所述覆蓋部中的鎂的含量相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極中的每個的厚度為0.4μm或更小。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，

其中，在所述邊緣部的所述第一區(qū)域和所述邊緣部的所述第二區(qū)域彼此分開的方向上，所述第一區(qū)域的寬度大于所述第二區(qū)域的寬度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，

其中，所述邊緣部中的每個的所述第一區(qū)域的致密度大于所述邊緣部中的每個的所述第二區(qū)域的致密度。