[發(fā)明專利]一種有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811442868.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109686846A | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張帥;胡志蕾;姜禾;史超;袁寧一;丁建寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/48 | 分類號(hào): | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 謝新萍 |
| 地址: | 213164 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 有機(jī)金屬鹵化物 酞菁 界面修飾 空穴傳輸層 大氣環(huán)境 晶粒界面 修飾 光照 電池效率 分子附著 鈣鈦礦層 產(chǎn)業(yè)化 電池用 反溶劑 前驅(qū)體 陽離子 制備 | ||
1.一種有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:所述方法步驟如下:
1)清洗FTO玻璃:將FTO玻璃依次放入洗衣粉溶液、去離子水、丙酮和乙醇中分別超聲清洗半小時(shí),氮?dú)獯蹈?,再用紫外臭氧處?5min;
2)制備TiO2電子傳輸層:將2.25ml TiCl4緩慢滴加到100ml去離子水制成的冰面上,待冰融化后得到TiCl4水溶液,將步驟1)清洗好的FTO玻璃浸入TiCl4水溶液中,在70℃下加熱1h,之后用水沖洗,氮?dú)獯蹈?,?00℃下干燥1h,獲得FTO/TiO2;
3)配制鈣鈦礦前驅(qū)體溶液:首先稱取208.30mg甲脒氫碘酸鹽(FAI),587.79mg PbI2溶入1ml由N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亞砜(DMSO)按照4:1的體積比得到的混合溶劑中配制成A溶液;然后取159.6mg甲胺氫溴酸鹽(MABr),550.5mg PbBr2溶入1ml由DMF和DMSO按照4:1的體積比得到的混合溶劑中配制成B溶液;然后取77.94mg CsI溶入400μl DMSO溶劑中配制成C溶液;將A、B、C三種溶液分別攪拌8h至均勻溶解,最后分別取A、B、C三種溶液880μl、132μl、88μl混合成溶液D,并再攪拌8h,得到鈣鈦礦前驅(qū)體溶液;
4)添加酞菁的反溶劑溶液的配制:稱取0.01-10mg酞菁添加至1ml苯甲醚中,攪拌8h至其完全溶解,得到添加有酞菁的反溶劑溶液;
5)空穴傳輸層溶液:首先將Li-TFSI溶解于乙腈中制得濃度為520mg/ml的Li-TFSI溶液,再將72.3mg spiro-MeOTAD、28.8ul 4-叔丁基吡啶和17.5ul Li-TFSI溶液溶入1ml氯苯中,攪拌12h,得空穴傳輸層溶液;
6)在步驟2)制備的FTO/TiO2的TiO2表面旋涂步驟3)制備的鈣鈦礦前驅(qū)體溶液;
所述旋涂工藝如下:
①轉(zhuǎn)速1000rpm/min,加速度a=200rpm/s,旋涂維持時(shí)間t=12s;
②轉(zhuǎn)速5000rpm/min,加速度a=1500rpm/s,旋涂維持時(shí)間t=45s,當(dāng)旋涂步驟②開始后15-30s的時(shí)間區(qū)間內(nèi)滴加反溶劑;
7)將步驟6)制備的鈣鈦礦薄膜放置在熱臺(tái)上進(jìn)行退火;
8)在步驟7)制備好的鈣鈦礦層上旋涂步驟5)制備的空穴傳輸層溶液,最后利用物理氣相沉積法在空穴傳輸層上蒸鍍金電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:步驟4)所述酞菁包括2,9,16,23-四叔丁基-29H,31H-酞菁、1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁或1,2,3,4,8,9,10,11,15,16,17,18,22,23,24,25-十六氟-29H,31H-酞菁鈷(II)。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:步驟4)所述稱取0.1-1mg酞菁添加至1ml苯甲醚中,攪拌8h至其完全溶解,得到添加有酞菁的反溶劑溶液。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:步驟6)所述當(dāng)旋涂步驟②開始25s滴加反溶劑,滴加的反溶劑量為50-150μl。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:步驟7)所述退火溫度為110℃,退火時(shí)間為20min。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:步驟8)所述旋涂空穴傳輸層溶液的轉(zhuǎn)速5000rpm/min,加速度a=2000rpm/s,旋涂維持時(shí)間t=25s;金電極的厚度為50-150nm。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:所述步驟3)-8)均在手套箱中完成。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池的界面修飾方法,其特征在于:所述手套箱的水氧濃度控制在10ppm以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





