[發明專利]顯示面板的像素排列結構及顯示裝置有效
| 申請號: | 201811442691.5 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN109585508B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 肖志慧;黃俊杰;宋平;單為健;王亞玲;楊志業 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 鈄颯颯;劉芳 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 像素 排列 結構 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示面板的像素排列結構及顯示裝置,涉及顯示技術領域,用于解決有機發光二極管顯示面板的像素開口率低下的技術問題。其中,顯示面板的像素排列結構包括:第一子像素、第二子像素、第三子像素;第一子像素、第二子像素、第三子像素為邊數不同的多邊形結構;且相鄰的第一子像素、第二子像素、第三子像素兩兩之間的間隔距離相等。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板的像素排列結構及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱OLED)作為一種電流型發光器件,因其所具有自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性基板上等多種特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域如柔性顯示面板中。OLED材料一般是通過對有機材料熱蒸鍍實現RGB(紅綠藍)顯示,這就需要掩膜版(Mask)進行遮擋來實現。這也使得OLED的像素排列就會受到Mask的限制,顯示開口率也會受限。
現有技術中,通過將三原色的像素設計成矩形結構來提升像素的開口率。其中,由三原色像素排列成的像素單元組合呈矩形結構,在像素單元組合中每種顏色的像素也為矩形結構。
但是,采用三個矩形結構的像素會增加排列后像素之間的間隔區域的面積,從而壓縮了像素顯示的面積,使得像素開口率低下。
發明內容
針對上述缺陷,本發明提供一種顯示面板的像素排列結構及顯示裝置,用于解決有機發光二極管顯示面板的像素開口率低下的技術問題。
第一方面,本發明提供一種顯示面板的像素排列結構,包括:第一子像素、第二子像素、第三子像素;所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素為邊數不同的多邊形結構;且相鄰的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素兩兩之間的間隔距離相等。
在一種可能的設計中,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素的像素邊到各自預留邊的距離均相等。
在一種可能的設計中,所述第一子像素為矩形結構,所述第二子像素為六邊形結構,所述第三子像素為八邊形結構。
在一種可能的設計中,所述第三子像素的八邊形的短邊長度小于第一子像素的邊長。
在一種可能的設計中,兩兩相鄰的第一子像素、第二子像素、第三子像素構成一個像素單元組合,且所述像素單元組合中的第一子像素、第二子像素、第三子像素的顏色不同。
在一種可能的設計中,所述像素單元組合的第一子像素、第二子像素、第三子像素的兩兩相鄰的預留邊之間無縫隙;優選的,所述像素單元組合的第一子像素、第二子像素、第三子像素的兩兩相鄰的預留邊的長度相等。
在一種可能的設計中,所述像素單元組合中的第三子像素的八邊形的預留邊的短邊的中心點與第二子像素的豎直中軸線、第三子像素的水平中軸線的交點位置重合。
在一種可能的設計中,所述像素單元組合中的第二子像素的中心點和第三子像素的中心點之間的距離,與第三子像素的八邊形的預留邊的短邊的中心點和第一子像素的中心點之間的距離相等。
在一種可能的設計中,在第一方向上,第三子像素位于奇數排,第一子像素和第二子像素交替排布于偶數排,在第二方向上,第一子像素和第三子像素交替排布于同一排且中心點位于同一條直線上,第三子像素的八邊形的預留邊的短邊的中心點位于第二子像素的中心點連線上;或者,
在第一方向上,第三子像素位于偶數排,第一子像素和第二子像素交替排布于奇數排,在第二方向上,第一子像素和第三子像素交替排布于同一排且中心點位于同一條直線上,第三子像素的八邊形的預留邊的短邊的中心點位于第二子像素的中心點連線上。
本發明第二方面提供一種顯示裝置,包括:如第一方面中任一項所述的顯示面板的像素排列結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





