[發明專利]硅基疊層的形成方法及硅基太陽能電池的制造方法

在審

• 申請號: 201811442208.3
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111244223A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 田偉辰;洪政源;葉昌鑫;吳以德
• 申請（專利權）人: 財團法人金屬工業研究發展中心
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種硅基疊層的形成方法，其特征在于，包括：

提供硅基板，其中所述硅基板具有相對的第一表面與第二表面；

于所述第一表面上形成第一薄膜層；

于所述第二表面上形成第二薄膜層；以及

對所述硅基板、所述第一薄膜層及所述第二薄膜層進行微波制程，以鈍化所述第一薄膜層及所述第二薄膜層。

2.根據權利要求1所述的硅基疊層的形成方法，其特征在于，所述第一薄膜層的材料包括本質硅、氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鉿，所述第二薄膜層的材料包括本質硅、氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鉿。

3.根據權利要求1所述的硅基疊層的形成方法，其特征在于，所述微波制程的微波頻率介于850MHz～3GHz之間。

4.根據權利要求1所述的硅基疊層的形成方法，其特征在于，所述微波制程的單位面積的功率密度介于10mW/cm²～1000mW/cm²之間，所述微波制程的時間介于10分鐘～90分鐘之間。

5.根據權利要求1所述的硅基疊層的形成方法，其特征在于，所述微波制程的單位面積的功率密度介于180～220mW/cm²之間，所述微波制程的微波頻率介于2.3GHz～2.5GHz之間，微波制程的時間介于25分鐘～30分鐘之間。

6.根據權利要求1所述的硅基疊層的形成方法，其特征在于，所述微波制程的單位面積的功率密度介于140mW/cm²～160mW/cm²之間，所述微波制程的微波頻率介于900MHz～930MHz之間，所述微波制程的時間介于25分鐘～30分鐘之間。

7.一種硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基板，具有第一導電方式、相對的第一表面與第二表面；

于所述第一表面上形成第一薄膜層；

于所述第二表面上形成第二薄膜層；以及

對所述半導體基板、所述第一薄膜層及所述第二薄膜層進行微波制程處理，以鈍化所述第一薄膜層及所述第二薄膜層。

8.根據權利要求7所述的硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜層的材料包括本質硅、氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鉿，所述第二薄膜層的材料包括本質硅、氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鉿。

9.根據權利要求7所述的硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述微波制程的微波頻率介于850MHz～3GHz之間。

10.根據權利要求7所述的硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述微波制程的單位面積的功率密度介于10mW/cm²～1000mW/cm²之間，所述微波制程的時間介于10分鐘～90分鐘之間。

11.根據權利要求7所述的硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述微波制程的單位面積的功率密度介于180mW/cm²～220mW/cm²之間，所述微波制程的微波頻率介于2.3GHz～2.5GHz之間，微波制程的時間介于25分鐘～30分鐘之間。

12.根據權利要求7所述的硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述微波制程的單位面積的功率密度介于140mW/cm²～160mW/cm²之間，所述微波制程的微波頻率介于900MHz～930MHz之間，微波制程的時間介于25分鐘～30分鐘之間。

13.根據權利要求7所述的硅基太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包括：

于鈍化后的所述第一薄膜層上形成第一半導體層，所述第一半導體層具有不同于所述第一導電方式的第二導電方式；

于鈍化后的所述第二薄膜層上形成第二半導體層，所述第二半導體層具有與所述半導體基板相同的所述第一導電方式；

于所述第一半導體層上形成第一透明導電膜；于所述第二半導體層上形成第二透明導電膜；

于所述第一透明導電膜上形成第一電極；以及

于所述第二透明導電膜上形成第二電極。