[發(fā)明專(zhuān)利]一種光模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811442115.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109347564B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙其圣;閆洪平;薛登山 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04B10/40 | 分類(lèi)號(hào): | H04B10/40;H04B10/50 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯長(zhǎng)明;許偉群 |
| 地址: | 266555 山東省青*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 模塊 | ||
1.一種光模塊,包括激光器,其特征在于,所述光模塊還包括外搭偏置電路,所述外搭偏置電路的輸入端連接所述光模塊的MCU,所述外搭偏置電路的輸出端連接所述激光器,所述外搭偏置電路用于所述激光器的ns級(jí)別的突發(fā)開(kāi)啟;其中:
所述外搭偏置電路包括依次連接的運(yùn)算放大器、MOS管和控制開(kāi)關(guān);
所述運(yùn)算放大器的輸入端連接所述MCU,所述運(yùn)算放大器的輸出端連接所述MOS管的柵極,所述運(yùn)算放大器用于放大所述MCU輸出至所述MOS管柵極的電壓,增加所述MOS管柵極的電壓調(diào)整范圍;
所述MOS管的源極用于連接電源,所述MOS管的漏極連接所述控制開(kāi)關(guān)的輸入端;
所述控制開(kāi)關(guān)的輸出端連接所述激光器,所述控制開(kāi)關(guān)接收突發(fā)信號(hào),所述控制開(kāi)關(guān)根據(jù)所述突發(fā)信號(hào)開(kāi)啟所述激光器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊,其特征在于,所述控制開(kāi)關(guān)的管腳1接地,所述控制開(kāi)關(guān)的管腳3連接所述激光器,所述控制開(kāi)關(guān)的管腳4連接所述MOS管的漏極,所述控制開(kāi)關(guān)的管腳6用于接收所述突發(fā)信號(hào);
當(dāng)所述突發(fā)信號(hào)為高電平時(shí),所述控制開(kāi)關(guān)的管腳3導(dǎo)通;
當(dāng)所述突發(fā)信號(hào)為低電平時(shí),所述控制開(kāi)關(guān)的管腳1導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光模塊,其特征在于,所述運(yùn)算放大器的同向輸入端連接所述MCU,所述運(yùn)算放大器的反向輸入端連接所述控制開(kāi)關(guān)的管腳4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊,其特征在于,所述激光器為EML激光器,所述EML激光器用于根據(jù)從EML驅(qū)動(dòng)芯片接收到的電信號(hào)發(fā)射光信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光模塊,其特征在于,所述外搭偏置電路還包括第一電阻,所述第一電阻的一端連接所述MOS管的漏極,所述第一電阻的另一端連接所述控制開(kāi)關(guān)的管腳4。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光模塊,其特征在于,所述外搭偏置電路還包括第一電容,所述第一電容的一端連接所述控制開(kāi)關(guān)的管腳4,所述第一電容的另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光模塊,其特征在于,所述外搭偏置電路還包括電感,所述電感的一端連接所述控制開(kāi)關(guān)的管腳3,所述電感的另一端連接所述激光器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊,其特征在于,所述外搭偏置電路還包括第二電阻,所述第二電阻的一端連接所述控制開(kāi)關(guān)的管腳6,所述第二電阻的另一端用于接收突發(fā)信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊,其特征在于,所述光模塊的接收組件包括激光探測(cè)器和突發(fā)限幅放大器,所述激光探測(cè)器的輸入端用于接收光信號(hào),所述激光探測(cè)器的輸出端連接所述突發(fā)限幅放大器的輸入端,所述突發(fā)限幅放大器的輸出端連接所述光模塊的輸出端。
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