[發明專利]多晶硅還原生產中的尾氣回收方法及回收系統

在審

• 申請號: 201811442047.8
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111232986A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 銀波;茍海龍;張治錦;詹麗;江慶云;蔣鵬
• 申請（專利權）人: 新特能源股份有限公司
• 主分類號: C01B33/027
• 分類號: C01B33/027
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;張萍

1.一種多晶硅還原生產中的尾氣回收方法，多晶硅還原生產中的尾氣包括：氫氣、氯化氫、二氯二氫硅、三氯化硅、四氯化硅，其特征在于，所述尾氣回收方法包括以下步驟：

將多晶硅還原生產中的尾氣通入解析塔進行解析分離，在解析塔的塔頂得到氣相物，在解析塔的塔釜得到塔釜液，其中，解析塔的塔頂得到的氣相物包括氯化氫，解析塔的塔釜得到的塔釜液包括第一氯硅烷，第一氯硅烷包括：二氯二氫硅、三氯化硅、四氯化硅；

將解析塔的塔釜液通入反應器中，向反應器中通入預設的催化劑，使得解析塔的塔釜液中的二氯二氫硅、四氯化硅發生反歧化反應生成三氯氫硅，在反應器內得到第二氯硅烷。

2.根據權利要求1所述的多晶硅還原生產中的尾氣回收方法，其特征在于，解析塔內的溫度為120～130℃，壓力為0.80～0.90MPa。

3.根據權利要求1所述的多晶硅還原生產中的尾氣回收方法，其特征在于，反應器內的溫度為70～80℃，壓力為0.6～0.9MPa。

4.根據權利要求1～3任意一項所述的多晶硅還原生產中的尾氣回收方法，其特征在于，還包括以下步驟：在反應器內放置吸附劑，吸附第一氯硅烷中的B、P雜質。

5.根據權利要求1～3任意一項所述的多晶硅還原生產中的尾氣回收方法，其特征在于，還包括以下步驟：將解析塔的塔頂得到的氣相物通入到冷卻器組中進行冷卻至20-35℃，氣液分離得到的氣體包括氯化氫，氣液分離得到的液體包括氯硅烷，將氣液分離得到的液體回流至解析塔內。

6.根據權利要求1～3任意一項所述的多晶硅還原生產中的尾氣回收方法，其特征在于，在多晶硅還原生產中的尾氣通入到解析塔之前，還包括以下步驟：以解析塔的塔釜液作為熱媒，對多晶硅還原生產中的尾氣進行換熱升溫。

7.一種權利要求1～6任意一項所述的回收方法使用的多晶硅還原生產中的尾氣回收系統，其特征在于，包括：

解析塔，多晶硅還原生產中的尾氣通入解析塔進行解析分離，在解析塔的塔頂得到氣相物，在解析塔的塔釜得到塔釜液，其中，解析塔的塔頂得到的氣相物包括氯化氫，解析塔的塔釜得到的塔釜液包括第一氯硅烷，第一氯硅烷包括：二氯二氫硅、三氯化硅、四氯化硅；

反應器，與解析塔連接，解析塔的塔釜液流入反應器中，在反應器中通入的預設的催化劑的催化作用下，使得解析塔的塔釜液中的二氯二氫硅、四氯化硅發生反歧化反應生成三氯氫硅，在反應器內得到第二氯硅烷。

8.根據權利要求7所述的回收系統，其特征在于，還包括：

冷卻器組，與解析塔連接，解析塔的塔頂得到的氣相物通入到冷卻器組中進行冷卻，氣液分離得到的氣體包括氯化氫，氣液分離得到的液體包括氯硅烷，將氣液分離得到的液體回流至解析塔內。

9.根據權利要求8所述的回收系統，其特征在于，冷卻器組包括：

空冷器，空冷器的入口與解析塔的氣體出口連接，空冷器用于空氣冷卻；

氣液分離器，氣液分離器的入口與空冷器連接，氣液分離器的液體出口與解析塔的入口連接；

氟利昂深冷器，氟利昂深冷器的入口與氣液分離器的氣體出口連接，氟利昂深冷器的出口與解析塔的入口連接。

10.根據權利要求9所述的回收系統，其特征在于，還包括:

控制器，氟利昂深冷器的入口與氣液分離器的氣體出口之間的連接管道上設置有第一閥門，控制器用于控制第一閥門的開閉，氣液分離器的液體出口設置有溫度檢測器，溫度檢測器檢測到的溫度值發送給控制器，當控制器接收到的溫度檢測器檢測到的溫度到達預設的溫度，則控制器控制第一閥門關閉；當控制器接收到的溫度檢測器檢測到的溫度高于預設的溫度，則控制器控制第一閥門打開，并控制氟利昂深冷器制冷。

11.根據權利要求7～10任意一項所述的回收系統，其特征在于，還包括：換熱器，換熱器與解析塔的入口連接，換熱器還與解析塔的塔釜連接，換熱器以解析塔的塔釜液作為熱媒，對多晶硅還原生產中的尾氣進行換熱升溫。