[發明專利]存儲器結構

有效

• 申請號: 201811441977.1
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111106114B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 王維志;呂增富
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

本發明公開了一種存儲器結構，包含第一存儲胞、第一字節線及第二字節線。第一字節線包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分自第二部分的一端沿著第一方向延伸，而第三部分自第二部分的另一端沿著第二方向延伸。第一方向與第二方向的夾角小于180°。第二字節線包含第四部分、第五部分及第六部分。第四部分自第五部分的一端沿著第三方向延伸，而第六部分自第五部分的另一端沿著第四方向延伸。第三方向與第四方向的夾角小于180°。本發明的存儲器結構可顯著地增加電容與存儲胞之間的接觸面積，可以有效地減少存儲器結構的電阻，并減小電容附近的電場，使得電容的漏電得以改善。

技術領域

本發明是關于動態隨機存取存儲器結構。

背景技術

隨機存取存儲器(random-access memory devices)主要有兩種，例如動態存儲器及靜態存儲器。動態隨機存取存儲器(dynamic random access memory,DRAM)逐漸變成重要的積體電路元件之一。動態隨機存取存儲器可以被格式化以儲存一個代表二進位值的電壓，但是需要在很短的周期內定期重新格式化或“刷新”，以維持此電壓。為了提升動態隨機存取存儲器的效能，需要改善導通電流(on current)以及柵極引發漏極漏電流(gateinduced drain leakage,GIDL)。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器結構，其可顯著地增加電容與儲存包之間的接觸面積。

根據本發明的一方面，是提供一種存儲器結構，包含第一存儲胞、第一字節線及第二字節線。第一字節線配置于第一存儲胞上，其中第一字節線包含第一部分、第二部分及第三部分，第一部分自第二部分的一端沿著第一方向延伸，而第三部分自第二部分的另一端沿著第二方向延伸，第一方向與第二方向的夾角小于180°。第二字節線配置于第一存儲胞上，其中第二字節線包含第四部分、第五部分及第六部分，第四部分自第五部分的一端沿著第三方向延伸，而第六部分自第五部分的另一端沿著第四方向延伸，第三方向與第四方向的夾角小于180°，且第二部分與第五部分之間的距離小于第一部分與第四部分的距離及第三部分與第六部分之間的距離。

根據本發明一個或多個實施方式，存儲器結構還包含第二存儲胞，其中第三部分延伸至第二存儲胞，且第三部分的一部分配置于第二存儲胞上。

根據本發明一個或多個實施方式，存儲器結構還包含第三存儲胞，其中第六部分延伸至第三存儲胞，且第六部分的一部分配置于第三存儲胞上。

根據本發明一個或多個實施方式，第一存儲胞包含第一胞區域、第二胞區域及數字區域，數字區域配置于第一胞區域與第二胞區域之間。

根據本發明一個或多個實施方式，存儲器結構還包含第一電容及第二電容，第一電容配置于第一胞區域，而第二電容配置于第二胞區域。

根據本發明一個或多個實施方式，存儲器結構還包含比特線，延伸穿過第一存儲胞。

根據本發明一個或多個實施方式，存儲器結構還包含比特線接點，配置于第一存儲胞的數字區域，且與比特線電性連接。

根據本發明一個或多個實施方式，數字區域與第一胞區域通過第一字節線隔開，而數字區域與第二胞區域通過第二字節線隔開。

根據本發明一個或多個實施方式，第二部分與第五部分之間的距離為5-50納米。

根據本發明一個或多個實施方式，第一字節線及第二字節線各自包含一彎折點，第一字節線的彎折點及第二字節線的彎折點配置于第一存儲胞內。

根據本發明一個或多個實施方式，第一字節線或第二字節線的寬度為5-50納米。