[發明專利]一種臺面型二極管的加工工藝

在審

• 申請號: 201811441763.4
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109585569A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 吳強德
• 申請（專利權）人: 嘉興柴薪科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種臺面型二極管的加工工藝，其特征在于：該加工工藝包括以下步驟：

擴散片制作完成→光刻溝槽→腐蝕圓形槽臺面→圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃鈍化→表面腐蝕清洗。

S1、將擴散出PN結的硅片根據所需芯片的尺寸規格進行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形；

S2、按體積比，將硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進行去膠清洗；

S2、配制玻璃漿用溶劑：將乙基纖維素和稀釋劑按1g：10ml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑；

S2、配制玻璃漿：將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml：5g比例倒入茄形瓶中進行攪拌；

S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內；

S4、玻璃預燒：推入爐口烘12-18分鐘，推入預燒溫度為420-480℃，推入預燒時間為25-28分鐘，同時燒去光刻膠層；預燒溫度調到565～575℃，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預燒，時間為25分鐘；

S5、擦拭預燒后硅片：將預燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內玻璃漿不要擦掉；

S6、玻璃燒成：對經過表面玻璃粉擦拭的硅片進行玻璃燒成，同時去光刻膠，燒成溫度為830-840℃，燒成時間為12-18分鐘，降溫至500-550℃，時間為30分鐘，自然降溫至200℃以下即可出爐；

S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；

S8、將玻璃鈍化后的硅片經清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進行劃片，制成硅整流器件的芯片。